Cтраница 1
Низковольтные стабилитроны изготовляют на основе сильно легированного кремния. В связи с этим при малых обратных напряжениях ( менее 6 в) в области p - n - перехода возникает большая напряженность электрического поля. В этом случае происходит туннельный пробой. При большей ширине р - / г-перехода пробой носит лавинный характер. Он начинается раньше, чем напряженность поля достигнет величины, необходимой для туннельного пробоя. Для большинства современных стабилитронов характерен пробой лавинного характера. [1]
Низковольтные стабилитроны изготовляют на основе сильнолегированного кремния. В связи с этим в низковольтных стабилитронах с напряжением стабилизации менее 6 В происходит туннельный пробой. Высоковольтные стабилитроны изготовляют на основе слаболегированного кремния. Поэтому их принцип действия связан с лавинным пробоем. [3]
Низковольтные стабилитроны изготовляют из сильно легированного кремния, р-п-переход в нем узкий, и поэтому в таких диодах развивается зенеровский ( туннельный) пробой. [4]
![]() |
Вольтамперные характеристики кремниевых стабилитронов при различных температурах окружающей среды. [5] |
Низковольтные стабилитроны изготовляются на основе сильно легированного кремния. В связи с этим при малых обратных напряжениях ( менее 7 б) в области р-л-перехода возникает большая напряженность электрического поля. [6]
Для низковольтных стабилитронов с туннельным пробоем при увеличении концентрации примесей уменьшается толщина p - n - перехода, что и приводит к уменьшению пробивного напряжения и напряжения стабилизации. [8]
![]() |
Схема включения ста - источника. - номинальное на-билитрона пряжение стабилитрона. [9] |
В низковольтных стабилитронах тлеющего разряда напряжение стабилизации составляет 75 - г - 150 в, напряжение зажигания на 20 60 в больше напряжения стабилизации. Минимальный ток составляет 5 ма, максимальный 10 - ь 40 ма. [10]
Сопротивление д может меняться от десятых долей ома для низковольтных стабилитронов до сотен ом для высоковольтных стабилитронов. [11]
Все сказанное относительно ТКН стабилитронов верно лишь в отношении низковольтных стабилитронов, у которых наиболее вероятен полевой ( зенеровский) пробой. У высоковольтных стабилитронов, для которых скорее характерен лавинный пробой за счет ударной ионизации, ТКН имеет другие значения и знакопеременный характер. [12]
![]() |
Влияние температуры на вольтамперную характеристику кремниевого стабилитрона. [13] |
Вообще при заданном входном напряжении измерительного элемента комбинация нескольких низковольтных стабилитронов оказывается предпочтительнее одного высоковольтного диода. [14]