Низковольтный стабилитрон

Cтраница 2

Для сравнения на рис. 3.56 приведены энергетические диаграммы двух низковольтных стабилитронов с разными напряжениями стабилизации. А потенциального барьера, сквозь который должны туннелировать электроны. [16]

Энергетические диаграммы, поясняющие увеличение дифференциального сопротивления с уменьшением напряжения стабилизации для стаби. [17]

Для сравнения на рис. 3.56 приведены энергетические диаграммы двух низковольтных стабилитронов с разными напряжениями стабилизации. Для туннелирования носителей заряда сквозь p - n - переход, во-первых, должна быть мала толщина А потенциального барьера, сквозь который должны туннелировать электроны. [18]

Статическая ВАХ кремниевого стабилитрона при различных температурах. [19]

Дифференциальное сопротивление уменьшается с увеличением протекающего через стабилитрон тока и для низковольтных стабилитронов составляет от единиц до десятков ом. [20]

Характер изменения температурного коэффициента напряжения стабилизации и динамического сопротивления в зависимости от величины напряжения стабилизации. [21]

Значения этого параметра для различных стабилитронов приведены в виде графика на рис. 4.25. Как видно, ТКи может иметь положительный знак для высоковольтных стабилитронов и отрицательный - для низковольтных стабилитронов. [22]

Величина ТКН представляет собой относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры окружающей среды на один градус. Низковольтные стабилитроны имеют отрицательный ТКН. При уровнях свыше 5 В ТКН становится положительным и возрастает с повышением напряжения. Для температурной компенсации иногда используют прямое включение диодов или стабилитронов. [23]

Вероятность туннельного перехода возрастает с увеличением температуры. Поэтому низковольтные стабилитроны имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации. [24]

Уровень напряжения стабилизации зависит от толщины обедненного слоя р-п-перехода, а следовательно, степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используют сильно легированный кремний с очень малой толщиной р-п-перехода. [25]

Уровень напряжения стабилизации определяется пробивным напряжением Uo6p np, зависящим в свою очередь от ширины р-и-перехода, а следовательно, от степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используют сильно легированный кремний. [26]

Низковольтные стабилитроны изготовляют на основе сильнолегированного кремния. В связи с этим в низковольтных стабилитронах с напряжением стабилизации менее 6 В происходит туннельный пробой. Высоковольтные стабилитроны изготовляют на основе слаболегированного кремния. Поэтому их принцип действия связан с лавинным пробоем. [27]

Статическая вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона.| Зависимость емкости р-п перехода от обратного напряжения. [28]

Динамическое сопротивление уменьшается с увеличением тока через стабилитрон и у низковольтных стабилитронов бывает от единиц до десятков ом. [29]

Идеализированная характеристика стабилитрона. [30]

Страницы: 1 2 3