Cтраница 1
Стадии роста кристаллов, представленные на рис. 4.24, показывают, что присутствие растворенных частиц способствует росту кристаллов. Чтобы промотировать деполимеризацию твердых коллоидных частиц Si02, в равновесную систему вводят реакционные смеси коллоидных силиказолей, предварительно подвергнутых старению. Образование зародыша цеолита происходит путем растворения коллоидной Si02 с образованием силикатных анионов, взаимодействующих с присутствующими в растворе алюминатными анионами. [1]
Стадия роста кристаллов начинается с момента пересыщения раствора в результате добавления реагента или изменения температуры. [2]
С повышением скорости процесса на стадии роста кристаллов их дефектность обычно увеличивается. [3]
С) на рис. 6 показаны стадии роста кристаллов в неполярном растворителе. [4]
В действительности же в ходе рассматриваемого процесса обычно при протекании стадии роста кристаллов параллельно продолжает идти стадия образования зародышей, которые затем также растут, переходя в индивидуальные кристаллы. Выпадающие кристаллы продолжают расти за счет снятия остаточного пересыщения и за счет рекристаллизации, обусловленной растворением мелких кристаллов и увеличением размера более крупных кристаллов. [5]
С помощью электронной микроскопии при увеличении в 11 000 раз удалось проследить практически все стадии роста кристаллов от момента возникновения зародышей ( центров кристаллизации) до полностью оформленного кристалла. Постадийное изучение процесса роста кристаллов было проведено на примере пентаконтана ( tnjI 93 С) при кристаллизации в углеводородной среде. В работе [36] обобщены результаты исследований условий выделения твердой фазы из растворов. Скорость выделения твердой фазы из раствора на образовавшихся центрах кристаллизации зависит от вязкости среды, средней длины диффузионного пути молекул к центрам кристаллизации, среднего радиуса молекул твердых углеводородов и разности между концентрацией раствора и растворимостью выделившейся твердой фазы при температуре кристаллизации. [6]
Обычно скорость миграции примеси в кристаллах не столь велика, чтобы влиять на захват примеси на стадии роста кристаллов. Поэтому влияние твердофазной миграции на коэффициент захвата далее не анализируется. [7]
![]() |
Центрифуга непрерывного действия. [8] |
Процесс кристаллизации схематически можно представить состоящим из двух стадий: стадии образования зародышей ( центров кристаллизации) и стадии роста кристаллов. [9]
Поскольку все три типа имеются в одном кристалле и распространение этих трех типов, очевидно, не связано со стадиями роста кристалла, то вряд ли разумно объяснять наблюдаемое явление, основываясь на различии в общих фазовых условиях в маточном растворе. Однако остается несколько возможностей. [10]
![]() |
Диаграмма плавкости для системы с простой эвтектикой. [11] |
Возникновение кристаллов в расплаве и их рост представляют собой две основные стадии процесса кристаллизации. Стадия роста кристаллов также является сложным процессом. Для объяснения сопутствующих ей явлении предложены различные теории, основанные на тех или иных постулируемых механизмах роста. Изложение этих теорий выходит за рамки рассматриваемой задачи глубокой очистки веществ, но все же следует отметить наиболее важную их концепцию об определяющей роли межфазовой границы твердое тело - жидкость. [12]
![]() |
Экспериментальная температура ооклопашш Те и тсмнергпура стеклования идеального стекла Тй. [13] |
Благоприятными кинетическими условиями стеклообразоваиия являются малые скорости зародыше-образовании и ( или) роста кристаллов. Поэтому лимитирующей стадией кристаллизации является стадия роста кристаллов. На рис. 18.5 приведена типичная температурная зависимость скорости кристаллизации. В точке плавления скорость кристаллизации равна нулю, затем она возрастает до максимального значения при некоторой промежуточной степени переохлаждения и вновь понижается до нуля при низких температурах. [14]
![]() |
Схема блочного строения кристаллов. [15] |