Стадия - рост - кристалл
Cтраница 2
Поэтому происходит перенос вакансий от мелких к крупным, а затем к поверхности кристалла, что приводит к исчезновению ассоциатов [ 55, с. В результате кристалл освобождается от неравновесных вакансий. Процессу устранения дефектов, возникших на стадии роста кристалла, противодействует непрерывное разупорядочение кристалла при соударениях его с другими кристаллами, а также со стенками кристаллизатора и мешалкой. Соударения вызывают появление точечных дефектов в зоне непосредственного контакта, откуда они диффундируют в объем кристалла. Кроме того, происходит разупорядочение межблочных границ [51], по-видимому, в результате периодического действия ударных волн. Ликвидация дефектов и одновременное разупорядочение структуры при соударениях приводит к установлению стационарной дефектности кристаллов, уровень которой определяется механической энергией, подводимой к системе. [16]
Это объясняется тем, что с увеличением температуры раствора вязкость его уменьшается и увеличивается скорость диффузии молекул растворенного вещества в объеме раствора. В результате молекулы растворенного вещества будут чаще сталкиваться с поверхностью растущего кристалла, что и приводит к увеличению скорости его роста. По этой же причине выделяющаяся в течение стадии роста кристаллов теплота кристаллизации должна оказывать положительное влияние на увеличение размера кристаллов, при выводе уравнения (4.181) это не учитывалось. [17]
Закон диффузии приложим к процессам кристаллизации или осаждения твердых веществ из растворов. В этом случае С - средняя концентрация пересыщенного раствора, из которого выпадает твердая фаза, a Cz - концентрация насыщенного раствора на поверхности твердых частиц. Однако законы диффузии могут быть применены лишь к стадии роста кристаллов; они неприменимы к стадии зарождения кристаллов, так как при быстром зарождении кристаллов ( в случае значительного пересыщения системы) большое число зародышей распределяется во всем объеме жидкой фазы, из-за чего расчет становится затруднительным и результат его значительно отклоняется от действительности. [18]
Известно, что механические свойства пластических масс в значительной степени определяются формой и размерами надмолекулярных структур, образующихся в процессе производства изделий. Наиболее интенсивно формирование надмолекулярных структур протекает в момент перехода полимера из расплава в высокоэластическое состояние. Среди многообразия факторов, влияющих на процесс формирования структур, важное значение имеют механические воздействия как на стадии образования зародышей, так и на стадии роста кристаллов. В этом случае задача смешения заключается в получении структурно-однородного материала. Не случайно для отверждения очень вязких плохо кристаллизующихся расплавов применяют кристаллизаторы смесительного типа, позволяющие получать равномерную структуру в однокомпонентных полимерах, которые также являются гетерогенными благодаря существованию границ раздела между сферолитами, фибриллами и другими элементами надмолекулярных структур. Таким образом, понятие процесса смешения должно распространяться и на получение структурно-однородного материала. [19]
Такое наследование достаточно часто протекает в адсорбционно-кинетическом режиме. Например, при захвате примесей, указанных в табл. 1, из водных растворов, перемешиваемых с интенсивностью, соответствующей макроскопическому числу Рейнольдса Re 103 - 10, сорбция не зависит от скорости изменения состояния примеси в среде и от массопереноса в растворе, если скорость роста кристаллов не выходит из интервала, указанного в таблице. В этом интервале скоростей роста образуются кристаллы, в объеме которых подвижность примеси столь мала, что не происходит ее перераспределения в твердой фазе на стадии роста кристаллов. [21]
Симкисс [22] изучил три фосфорсодержащих ионных метаболита, которые ингибируют самопроизвольное осаждение карбоната кальция в искусственной и природной морской воде. Из трех изученных веществ глицерофосфат дает наименьший ин-гибирующий эффект. Результаты, полученные при исследовании процесса самопроизвольного осаждения карбоната кальция, позволяют заключить, что образование карбоната кальция в сильно пересыщенных растворах заметно ингибиру-ется фосфорсодержащими ионами как на стадии возникновения центров кристаллизации, так и на стадии роста кристалла. Кроме того, оказалось, что в ходе образования центров кристаллизации значительные количества фосфора включаются в нерастворимый карбонат кальция. На одной из них образуются две или более различные фазы фосфата кальция с одновременным растворением термодинамически нестабильной фазы восьмизамещенного фосфата кальция, который был найден в начальных стадиях реакции. [22]
Однако пользоваться этими уравнениями можно только в том случае, если известна зависимость параметров /, h, hT и 3т от концентрации кристаллизанта в среде. Зависимость параметра ртге от концентрации кристаллизанта может быть обусловлена действием трех факторов, а именно: взаимодействием кристаллизанта с примесью в растворе, десорбирующим влиянием кристаллизанта и изменением концентрации вакансий в приповерхностной зоне кристалла. Действие первого фактора будет рассмотрено при обсуждении внешнекинетического режима. Второй фактор, по-видимому, не играет заметной роли на стадии роста кристаллов. Роль третьего фактора целесообразно показать на примере захвата изоморфной примеси, не образующей комплексов с кристаллизантом в растворе. [23]
Страницы: 1 2