Начальная стадия - рост
Cтраница 2
Основной особенностью начальных стадий роста конденсатов является неравномерное распределение вещества на поверхности подложки. Равномерное образование зародышей происходит лишь при более низких температурах. [16]
При изучении начальных стадий роста медных покрытий установлено, что на активированной палладием поверхности растут трехмерные зародыши меди; кристаллиты размером 2 5 - 5 нм соединяются в агрегаты ( 30 - 50 нм), которые затем рекристалли-зуются в большие зерна. [17]
Когда на начальных стадиях роста пленки островки еще достаточно малы, они, как следует из работ [ 34, 52, являются м-онокристалличе-скимп. Однако как только островки становятся достаточно большими, так что они соприкасаются, в пленку вводятся границы зерен или дефекты кристаллической решетки, которые существуют до тех пор, пока не произойдет коалесценция островков в единый кристаллит. Это последнее явление действительно часто наблюдается, даже если два первоначальных зародыша имеют совершенно разную ориентацию. Поэтому в поли-кристаллпческих пленках, по крайней мере, на ранних стадиях образования пленки, непрерывно происходит процесс рекристаллизации, и в результате число зерен на единицу площади становится много меньше, чем число первоначальных зародышей. Раньше или позже, однако, когда эти зерна срастаются, в пленку вводится большое число дефектов, даже если пленка монокристаллическая и выращена эпитаксиально. В этом разделе будет изучен процесс образования некоторых дефектов в процессе роста. [18]
Область А соответствует начальным стадиям роста трещины в образце. Рассмотрим идеальный случай - материал с острой стартовой трещиной, прошедший после ее нанесения полную термическую обработку. Оценить пороговую величину АК трудно. А), то из уравнения ( 403) получается, что абсолютное пороговое значение А / С меньше, чем 1 5 МН / м3 -, предполагая, что напряжение течения циклически упрочненного материала составляет около 200 МН / ма. [19]
Область А соответствует начальным стадиям роста трещины в образце. Рассмотрим идеальный случай - материал с острой стартовой трещиной, прошедший после ее нанесения полную термическую обработку. Оценить пороговую величину А / С трудно. [20]
Электронно-микроскопическое наблюдение на просвет начальных стадий роста [4, 8] и послойное избирательное травление показали [8], что образование дефектов происходит вблизи границы слоя с подложкой под влиянием неоднородностей, существовавших на поверхности подложки, а также в объеме при захвате растущим слоем инородных включений, образующихся на поверхности роста. [21]
Классическая теория нуклеации и начальных стадий роста кристаллов исходит из сферической симметрии зародышей. В полимерных телах зародыши обычно имеют асимметричную форму. [22]
О механизме зарождения и начальных стадиях роста островковых пленок имеются весьма противоречивые сведения. В большинстве теорий нуклеации предполагается существенное реиспарение падающих атомов, приводящее к низким значениям коэффициента прилипания. Возникшее разногласие между кажущимся и реальным коэффициентами прилипания объясняли тем, что не все падающие атомы включаются в растущие частицы, а преобладающее их большинство диффундирует в глубь подложки. [23]
При наращивании на постороннюю подложку начальная стадия роста считается оконченной, как только поверхность затравки оказывается покрытой слоем кристаллизуемого вещества такой толщины, что непосредственное влияние посторонней подложки на закрепление атомов на поверхности прекращается. Дальнейший рост происходит на более или менее несовершенной поверхности того же вещества. Следовательно, возможность выращивания кристаллов с совершенной структурой в значительной степени определяется начальной стадией роста. Начальная стадия роста, каковы бы ни были ее особенности, зависит от свойств подложки или затравки. [24]
Важно, однако, исследовать начальные стадии роста пузыря, так как количественное описание этой части задачи необходимо для уяснения смысла приближенного решения. Можно показать, что это решение в асимптотической области не зависит от деталей математической модели, используемой для описания поведения пузыря при значении R, близком к RO, следовательно, неопределенность величины поверхностной энергии при небольших значениях R, не составит трудностей при решении рассматриваемых здесь физических задач. [25]
 |
Диаграмма состояния основное вещество - примесь. [26] |
Таким образом, кристалл в начальной стадии роста оказывается более чистым от примесей, если k ] 1, но в процессе роста непрерывно обогащается ими. Для примесей с k - 1 наблюдаются обратные соотношения. [27]
 |
Диаграмма состояния основное вещество - примесь. [28] |
Таким образом, кристалл в начальной стадии роста оказывается более чистым от примесей, если k 1, но в процессе роста непрерывно обогащается ими. Для примесей с k 1 наблюдаются обратные соотношения. [29]
Полная и неполная кйнденсации о начальной стадии роста пленки. Выше 7 о доля площади подложки, покрытая зародышами и связанными с ними зонами захвата, мала; при этом осуществляется режим неполной конденсации, описанный в разд. Ниже Т0 взаимный захват и образование устойчивого дублета становится более вероятным, чем повторно испарение адатомя. [30]
Страницы: 1 2 3 4