Включение - постороннее вещество
Cтраница 2
Раньше принимали, что твердость покрытия обусловливается содержанием водорода. Однако в настоящее время известно, что твердость электроосажденного металла определяется в основном включениями посторонних веществ, связанных с катодной поверхностью и вызывающих нарушение кристаллической решетки. [16]
Кристаллы могут оказаться в напряженном состоянии, и это вызовет в одних случаях сдвиг линий, в других - их рас-ширение. Исследование при повышенных температурах может оказаться связанным со столь сильными тепловыми колебаниями атомов, что под большими углами рассеяния линии окажутся сильно ослабленными, а фон усилится. Такой же эффект получается при наличии включений посторонних веществ. Может получиться и так, что кристаллы имеют форму тонких пластинок ( слюды, глины), и тогда максимумы интенсивности перестают быть симметричными, размываясь в сторону возрастающих углов. Наконец, особенно частыми могут оказаться случаи, когда вследствие низкой симметрии кристаллов отражения возникают в таком большом количестве, что одни линии располагаются рядом с другими и образуют неразрешенные группы. [17]
 |
Влияние потенциала осаждения на твердость серебряного покрытия. [18] |
Твердость подобных железных покрытий соответствуют твердости покрытий хромом, у которых причина высокой твердости зависит от включения в покрытие оксидных соединений трехвалентного хрома. Следовательно, твердость хромовых покрытий - не характерное свойство хрома и может изменяться в очень широких границах путем изменения условий осаждения. Высокая твердость и ограниченная вязкость большинства блестяще осажденных металлов также имеют своей причиной включения посторонних веществ. [19]
Эти исследования показывают, что среди образующихся на катоде в результате адсорбции покровных пленок надо различать две формы. Одна плейка имеет сеткообразную рыхлую форму нее существование: не выявляется электронографически. Обычно адсорбционные пленки этой формы не приводят к известным слоистым структурам покрытия, так как включение посторонних веществ происходит предпочтительно на границах пучка волокон, отдельных волокнах кристалла и пластинках кристаллизующегося металла. На рис. 37 показана электронограмма поверхности медного покрытия, которое осаждено из слабокислого сернокислого электролита с присутствием лимоннокислых солей и содержит около 4 / 0 посторонних веществ. Несмотря на такое высокое включение посторонних веществ, катодная покровная пленка не наблюдается. Напротив, видна только интерференция кристаллизованной меди. [20]
Посторонние вещества достигают катода путем диффузии и конвекции. Большинство посторонних веществ физически связано с поверхностью катода путем адсорбции и частично также хемо-сорбцией. При соответствующем заряде присоединение обусловливается также и электростатическими силами. Адсорбционное присоединение подтверждается увеличением включений посторонних веществ с ростом концентрации их до предельного значения насыщения поверхности, а также зависимостью значения насыщения поверхности, а также зависимостью включений от величины молекул, температуры и склонности к адсорбции. [21]
 |
Изменение твердости и газообразования при нагревании покрытий серебром и медью.| Изменение при нагревании некоторых свойств покрытий серебром, содержащих 4 2 0 / цитрата. [22] |
До начала газообразования твердость остается приблизительно одинаковой. С наступлением газообразования появляется скачкообразное падение твердости. Крутое падение твердости не приводит сразу же к состоянию полного размягчения. В зависимости от вида металлов и включений посторонних веществ, температуры распада и температуры начала газообразования, уменьшение твердости имеет различное значение. [23]
 |
Влияние потенциала осаждения на твердость серебряного покрытия. [24] |
Ограниченные количества включений посторонних веществ повышают твердость лишь незначительно. Высокое содержание в меди посторонних веществ приводит к повышению твердости, которое имеет еще большее значение, чем у серебра. Таким образом, твердость гальванически осажденной меди с включениями посторонних веществ почти в три раза превосходит твердость холоднокатаной меди. Твердость, приобретаемая в результате включения неметаллических посторонних веществ в гальванически осажденные медь и серебро, может быть сравнима лишь с твердостью, получаемой при дисперсионном твердении пересыщенных твердых растворов. [25]
Эти исследования показывают, что среди образующихся на катоде в результате адсорбции покровных пленок надо различать две формы. Одна плейка имеет сеткообразную рыхлую форму нее существование: не выявляется электронографически. Обычно адсорбционные пленки этой формы не приводят к известным слоистым структурам покрытия, так как включение посторонних веществ происходит предпочтительно на границах пучка волокон, отдельных волокнах кристалла и пластинках кристаллизующегося металла. На рис. 37 показана электронограмма поверхности медного покрытия, которое осаждено из слабокислого сернокислого электролита с присутствием лимоннокислых солей и содержит около 4 / 0 посторонних веществ. Несмотря на такое высокое включение посторонних веществ, катодная покровная пленка не наблюдается. Напротив, видна только интерференция кристаллизованной меди. [26]
 |
Влияние потенциала осаждения на твердость серебряного покрытия. [27] |
Ограниченные количества включений посторонних веществ повышают твердость лишь незначительно. Высокое содержание в меди посторонних веществ приводит к повышению твердости, которое имеет еще большее значение, чем у серебра. Таким образом, твердость гальванически осажденной меди с включениями посторонних веществ почти в три раза превосходит твердость холоднокатаной меди. Твердость, приобретаемая в результате включения неметаллических посторонних веществ в гальванически осажденные медь и серебро, может быть сравнима лишь с твердостью, получаемой при дисперсионном твердении пересыщенных твердых растворов. [28]
Страницы: 1 2