Cтраница 3
![]() |
Пример изменения частоты по времени при действии различных очередей устройства АЧР. [31] |
Разновременность обратного включения в пределах одной подстанции достигается разными уставками времени устройств АПВ или схемой автоматики, обеспечивающей определенную очередность обратного включения присоединений. [32]
Для обратного включения отремонтированной группы элементов нагрузка постоянного тока переводится на зарядный агрегат и снимаются перемычки. Хвосты пластин крайних элементов группы припаиваются к соединительным полосам, вырезается очередная группа элементов для ремонта, ставятся перемычки. Нагрузка переводится на батарею, батарее дается уравнительный заряд. [33]
![]() |
Зависимость тока утечки от времени для Та205 и ZrO2. сплошные кривые - в запирающем направлении. прерывистые - в проводящем направлении. [34] |
При обратном включении имеет место возрастание тока со временем в течение многих минут. При измерениях в вакууме это возрастание тока для Та2О5 наблюдается при повышенной температуре, а для ZrO2 - и при комнатной температуре. [35]
![]() |
Расположение зарядов в р-гс-переходе при наложении поля. а - в запирающем направлении. б - в пропускающем направлении. [36] |
При обратном включении, когда отрицательный полюс внешнего источника присоединен к электронному полупроводнику, а положительный полюс - к дырочному ( рис. 3 - 7, б), внешнее поле в запорном слое направлено навстречу внутреннему, вследствие чего оно уменьшает потенциальный барьер и вызывает смещение зарядов в полупроводниках навстречу друг другу к месту контакта. [37]
![]() |
Строение р-я-перехода и диаграммы потенциальной энергии W.. [38] |
При обратном включении ( i / 06P) плюс источника напряжения подключается к области га-проводимости ( рис. 23 6), электроны и дырки движутся в обратном направлении, стремясь покинуть барьерный слой. Носителей в зоне р - я-перехода мало, его сопротивление велико и ток, протекающий через переход, мал. При прямом включении ( fnp) плюс источника напряжения подключается к области р-проводимости ( рис. 23, в), электроны и дырки движутся навстречу друг другу, обогащая носителями барьерный слой. При этом сопротивление перехода очень мало и ток, протекающий через него, велик. Таким образом, р - n - переход представляет собой вентиль, пропускающий ток в прямом направлении. [39]
![]() |
Эффект Пельтье на контакте металла с полупроводником. [40] |
При обратном включении ток направлен из металла в полупроводник. Электронам металла для перехода в зону проводимости полупроводника необходимо приобрести дополнительную энергию, которую они получают от решетки. В этом случае область контакта охлаждается. [41]
![]() |
Распределение токов, обусловленных инжек-цией дырок.| Обратное включение р-п перехода. [42] |
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток, который имеет небольшую величину, так как он создается движением неосновных носителей. [43]
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет небольшую величину, так как создается движением неосновных носителей. Это объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон-дырка при неизменной температуре остается неизменным. Это определяет выпрямительные свойства / 7-и-перехода: способность пропускать ток только в одном направлении. [44]
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет небольшую величину, так как создается движением неосновных носителей. Этот ток называется обратным и может быть определен по формуле / обр / др - / диф. Это объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон - дырка при: неизменной температуре остается неизменным. Это определяет выпрямительные свойства / ьи-перехода: способность пропускать ток только в одном направлении. [45]