Cтраница 4
![]() |
Схема воздушного. [46] |
При обратном включении клапанов измерительный сосуд опорожняется в испаритель. [47]
![]() |
Дозатор с пневматическим поршнем и мерным сосудом. [48] |
При обратном включении клапанов проба из мерного сосуда переходит в испаритель. [49]
При обратном включении источника высота потенциального барьера позышается и его могут преодолевать только дырки ( неосновные носители заряда для полупроводника), так как поле образованного слоя для них является ускоряющим. Поток дырок в металл создает обратный ток. Но так как концентрация дырок мала, го обратный ток тасже мал. [50]
При обратном включении источника высота потенциального барьера повышается и его могут преодолевать только дырки ( неосновные носители заряда для полупроводника), так как поле образованного слоя для них является ускоряющим. Поток дырок в металл создает обратный ток. Но так как концентрация дырок мала, то обратный ток также мал. [51]
При обратном включении клапанов измерительный сосуд опорожняется в испаритель. [52]
Так как обратное включение очевидно, то в одну сторону теорема доказана. [53]
Чтобы доказать обратное включение, рассмотрим главный ряд группы Л, проходящий через F. Главные факторы группы А, лежащие в F, централизуются подгруппой F, так как F, нильпотентна. [54]