Cтраница 2
Время пролета иона представляет собой промежуток времени между образованием иона и его регистрацией. В приборе с секторным магнитным полем, использующем магнитную развертку, все ионы получают одинаковую энергию ускорения, и время, необходимое тяжелым ионам для достижения коллектора, больше, чем для легких, но в обоих случаях оно зависит от величины ускоряющего напряжения, используемого для регистрации данного спектра. Значительная часть времени пролета ионов приходится на ионизационную камеру, где ионы под действием слабых полей движутся относительно медленно. Контроль времени пролета ионов можно осуществить при помощи выталкивающего электрода, расположенного в ионизационной камере; для этой цели на электрод подается небольшой отрицательный ( по отношению к стенкам камеры) потенциал; поле выталкивающего потенциала подавляет действие рассеянных полей, проникающих в ионизационную камеру от главного ускоряющего поля. Легко видеть, что любые изменения, приводящие к увеличению времени пролета различных ионов, будут вызывать изменение интенсивностей пиков осколочных ионов, поскольку большинство ионов в масс-спектрах органических молекул образуется при многоступенчатых реакциях, и спектры их зависят от времени. Так же как и в приведенных выше примерах, по изменению времени пролета ионов можно видеть, что такие факторы, как образование изолирующих пленок на электродах ионизационной каме -, ры, вызывающие изменение положения электронного пучка и, следовательно, области образования ионов, могут также воздействовать на время пролета. [16]
В спектрах отражения ромбических кристаллов 80283 и 8Ьг8е3 ( рис. 2 и 3) в области 1 - 6 эв также находится абсолютный широкий максимум отражения со структурой в виде более слабых пиков. Положение вершины максимума при комнатной температуре меняется в зависимости от поляризации вследствие изменения интенсивности составляющих его пиков. При понижении температуры до 90 К происходит резкое обострение деталей структуры главного максимума, которая видна теперь в виде четких пиков отражения, обозначенных А-AT. Из простого сопоставления формы кривых видно, что спектры отражения этих кристаллов сильно поляризованы. Резкое отличие наблюдается в поляризациях EJ с и Е а. Поляризация Е Ь, не показанная на рисунках, структурно совпадает с поляризацией Е а. Вблизи края поглощения находится сильный пик А, хорошо заметный и при комнатной температуре. Этот пик поляризован: он ясно виден в поляризациях Е а и Е Ь и почти отсутствует в поляризации Е с. Пик AI заметно смещается в сторону больших энергий при понижении температуры. При более высоких энергиях находятся два близких пика Л2 и А3, присутствующие во всех поляризациях, однако с разной относительной интенсивностью. Пик Л3 в поляризациях ЕУа и Е Ь значительно слабее, чем в поляризации Е с. Оценить изменение интенсивности пика Л2 при смене поляризации трудно из-за близкого соседства Л3; вероятно, его интенсивность почти не изменяется. Два интенсивных пика Л4 и А5 также близко расположены по энергиям и очень четко выражены. Оба пика поляризованы: пик Л4 почти отсутствует в поляризациях Е а и Е Ь, а пик Л5 значительно ослаблен в поляризации Е1 с. [17]