Диодное включение

Cтраница 2

Для транзисторной структуры в диодном включении t / nep - это напряжение на том переходе ( или на обоих переходах в схеме 5), который используется в данной схеме. Сопротивление Л5 также зависит от схемы включения: это может быть либо сопротивление базы, либо сопротивление коллектора, либо их сумма. Сопротивление эмиттерной области пренебрежимо мало из-за высокой концентрации примесей в ней. [16]

Испытываемая лампа находится в режиме диодного включения, и на ее электроды подаются импульсы напряжения от импульсного генератора ГИ. Величина импульсов тока измеряется при помощи тех же или отдельных лампового вольтметра или осциллографа, подсоединенных к сопротивлению нагрузки R и отградуированных в единицах тока. [17]

Через транзистор Т1 ( в диодном включении) от схемы цветовой синхронизации поступают импульсы для коррекции фазы переключения плеч симметричного триггера, а следовательно, и электронного коммутатора. [18]

Правый триод этой лампы в диодном включении служит однополупериод-ным выпрямителем для питания анодных цепей предварительных каскадов усиления. [19]

Через транзистор Т1 ( в диодном включении) со схемы цветовой синхронизации поступают импульсы коррекции фазы переключения триггера. [20]

Так же как и при диодном включении, триод типа р-п-р-п обладает свойствами переключающего прибора и во м ногах отношениях аналогичен обычному тиратрону. Действия прибора типа р-п-р-п как переключателя аналогично действию точечно-контактных полупроводниковых триодов. [21]

Импульсный ток катода измеряется в диодном включении при напряжении накала 6 3 в, импульсном напряжении 150 в, частоте посылок импуль-сов 50 гц я длительности импульсов 1 - 2 мксек. [22]

Импульсный ток катода измеряется в диодном включении лампы при импульсном анодном напряжения 130 в, длительности импульсов 2 мксек и частоте посылок импульсов 60 гц. [23]

Диоды обычно образуются из транзисторов в диодном включении, при котором база соединяется с коллектором. Поскольку стоимость изготовления резисторов и конденсаторов дороже, чем транзисторов, то схему целесообразно выполнить с наименьшим количеством пассивных элементов, заменяя их по возможности транзисторами. [24]

Диодами ИС обычно служат транзисторы в одном из диодных включений. [25]

Дискриминатор ФАПЧ образован транзисторами VT1 и VT2 в диодном включении и резисторами R4 и R5 ИМС. [26]

Стабилизация режима VT8 происходит с помощью VT4 в диодном включении. В то же время при Uax 0 UBb ] K должно быть также равно нулю. [27]

Здесь транзистор VI, хотя и используется в диодном включении, но не насыщен и является активным элементом. Его можно рассматривать как транзистор, охваченный 100 % - ной отрицательной обратной - связью. Следовательно, напряжение затвор - исток транзистора VI сохраняет свое управляющее воздействие на величину тока стока, как и при нормальной работе транзистора. [28]

Влияние эмиссионной способности катода на ход анодно-сеточных характеристик. [29]

Согласно этой схеме, испытываемая лампа находится в режиме диодного включения и на ее электроды подается одной то же напряжение измерения эмиссии. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5