Диодное включение
Cтраница 3
 |
Осциллограммы сигналов, поясняющие работу блока цветовой синхронизации. [31] |
Транзисторы VT2, VT4, VT5, VT7 в диодном включении устраняют реакцию транзисторов триггера по цепи запуска при переходе их в режим насыщения. [32]
 |
Модель микросхемы ДТЛ с входными диодами, образующими паразитные р-п-р-траюисторы 262. [33] |
В ИМС, не легированных золотом, во всех диодных включениях ( за исключением диода с закороченным коллектором), как известно, из-за активного действия паразитных транзисторов токи утечки в подложку достигают заметного значения. Выясним влияние этих токов на работу входных диодов. На рис. 7.7 показана модель ИМС, в которой входными диодами являются диоды, полученные без проведения эмиттерной диффузии. Эти диоды образуют паразитные р-п-р-транзисторы, у которых эмиттером служи. [34]
 |
Четырехквадрантный перемножитель на базе КР140МА1. [35] |
Токи выводов 9 и 12, проходя через транзисторы в диодном включении ( DA2), создают на них разность потенциалов, пропорциональную логарифму входного напряжения, и в результате выходное напряжение АП UBbix 2R HUXUY / / 0RXRY r e RX и RY - сопротивления резисторов по выводам 7 и 14 перемножителей DA1 и DA3 соответственно. [36]
 |
Четырехквадрантный перемножитель на базе КР140МА1. [37] |
Токи выводов 9 и 12, проходя через транзисторы в диодном включении ( DA2), создают на них разность потенциалов, пропорциональную логарифму входного напряжения, и в результате выходное напряжение АП UBMX 2RHUXUY / / 0RXPY где Rx и Ry - сопротивления резисторов по выводам 7 и 14 перемножителей DA1 и DA3 соответственно. [38]
 |
Варианты схем диодного включения транзисторных элементов. [39] |
Одной из особенностей И С является использование транзисторных элементов в диодном включении, обусловленное тем, что при изготовлении ИС технологически проще получить одинаковые транзисторные структуры, чем специально диодные. [40]
 |
Четырехквадрантный перемножитель на базе КР140МА1. [41] |
Токи выводов 9 и 12, проходя через транзисторы в диодном включении ( DA2), создают на них разность потенциалов, пропорциональную логарифму входного напряжения, и в результате выходное напряжение АП UBMX 2RHUXUY / / 0RXPY где Rx и Ry - сопротивления резисторов по выводам 7 и 14 перемножителей DA1 и DA3 соответственно. [42]
В качестве диодов в полупроводниковых ИМС обычно используют транзисторы в диодном включении. В зависимости от схемы Включения транзистора изменяются параметры диода. [43]
В качестве диодов в полупроводниковых ИМС обычно используют транзисторы в диодном включении. В зависимости от схемы включения транзистора изменяются параметры диода. [44]
В качестве диодов в полупроводниковых ИС обычно используют транзисторы в диодном включении. В зависимости от схемы включения транзистора изменяются параметры диода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5