Параллельное включение - транзистор
Cтраница 1
 |
Микросборки гибридные МГСТ - 2 - 10 - 4 0 до 10 А, 400 В ( а и МГСТ - 2 - 32 - 1 2 до 32 А, 120 В ( б. [1] |
Параллельное включение транзисторов не только повышает мощность ключа, но и уменьшает тепловое сопротивление переход - корпус и тепловые потери, что способствует миниатюризации коммутаторов. [2]
 |
Схема параллельного включения транзисторов для работы в режимах А или АВ. [3] |
Параллельное включение транзисторов, кроме увеличения мощности устройства, позволяет уменьшить коллекторный ток и мощность рассеяния каждого транзистора и соответственно повысить усиление по мощности каждого каскада и облегчить режим работы транзисторов. [4]
 |
Микросборки гибридные МГСТ - 2 - 10 - 4 0 до 10 А, 400 В ( а и МГСТ - 2 - 32 - 1 2 до 32 А, 120 В ( б. [5] |
Параллельное включение транзисторов не только повышает мощность ключа, но и уменьшает тепловое сопротивление переход - корпус и тепловые потери, что способствует миниатюризации коммутаторов. [6]
Параллельное включение транзисторов является основным методом увеличения выходной мощности усилителей. Оно может быть использовано также для облегчения режима транзисторов. [7]
Параллельное включение транзисторов может быть использовано не только для увеличения максимального тока нагрузки. Весьма важно, что при увеличении количества параллельно включенных транзисторов прямо пропорционально уменьшается суммарная мощность, рассеиваемая в них за время насыщенного состояния, так как уменьшается результирующее выходное сопротивление каскада при неизменном токе нагрузки. [8]
Однако параллельное включение транзисторов при неизбежном различии их параметров приводит к неравномерному нагреву переходов и перегреву отдельных транзисторов. [9]
Поэтому параллельное включение транзисторов является не только необходимым для получения заданного тока нагрузки, но и полезным для уменьшения габаритов усилителя. [10]
При параллельном включении транзисторов для выравнивания токов в эмиттеры Та, Тц включают резисторы Re - Величина Rs ( 0 5 - f - - т - 1) пар / / к и макс, где ftnap - число параллельно включенных транзисторов. В качестве RQ необходимо использовать точные резисторы с допуском не более 2 %, например резисторы типа 1ПТМК или типа У ЛИ. [11]
При параллельном включении транзисторов для выравнивания токов в эмиттеры Г н, Г ц включают резисторы. [12]
При параллельном включении транзисторов без сопротивлений в цепях эмиттеров напряжения UK3 и t / бэ всех транзисторов соответственно одинаковы. [13]
Здесь используется параллельное включение транзисторов п - типа и последовательное включение транзисторов р-типа. Входные транзисторы и-типа по затвору связаны с транзисторами р-типа. [14]
В случае параллельного включения транзисторов аналогичный эффект получается, если плюс источника вХ2 подключить к эмиттеру одного из параллельно включенных транзисторов до симметрирующего сопротивления. При этом исключается влияние изменения падения напряжения на симметрирующих сопротивлениях и на участке база - эммитер мощных транзисторов. [15]
Страницы: 1 2 3 4