Параллельное включение - транзистор
Cтраница 4
Рассмотрим второй пример, полагая, что выходное сопротивление насыщенного транзистора не зависит от тока базы. Поэтому при параллельном включении лтр транзисторов суммарный базовый ток считаем неизменным. [46]
Буферный каскад служит для раскачки выходного каскада. В каскаде применено параллельное включение транзисторов TZ и Г4 для получения необходимой мощности раскачки выходного каскада. [47]
 |
Зависимость сопротивления канала от напряжения на затворе ( а и схема замещения. [48] |
Таким образом, полевой транзистор можно использовать как ключ, управляемый напряжением на затворе. Уменьшить сопротивление канала можно параллельным включением транзисторов с общим управляющим напряжением, чем обычно и пользуются при создании силовых ключей. [49]
На рис. 8.9 приведена схема И, собранная на двух последовательно включенных транзисторах. Применяют также схемы с параллельным включением транзисторов. При отсутствии сигналов на входах оба транзистора заперты. Сигнал ( отрицательный импульс) на выходе появится только в том случае, когда на оба входа одновременно подают отрицательные отпирающие импульсы. Конденсаторы в входных цепях уменьшают длительность фронта выходного импульса. [50]
В усилителе постоянного тока ( транзистор TZ) используют транзисторы с большим коэффициентом усиления по току, а в качестве регулируемого транзистора Т нужно выбрать транзистор, у которого допустимый ток коллектора превышает ток нагрузки стабилизатора. Если ток нагрузки превышает допустимый для данного транзистора, то применяют шунтирование его резистором или параллельное включение транзисторов. В последнем случае для равномерного распределения токов между транзисторами в цепи базы или эмиттера включают резисторы небольшого сопротивления. Коэффициент стабилизации составляет 50 - 80, а для получения больших его значений можно применить многокаскадные усилители постоянного тока. В некоторых случаях для повышения стабильности используют термокомпенсацию измерительного элемента. [51]
На рис. 1.51 приведен другой вариант схемы НЕ, И-ИЛИ-НЕ с применением МДПДТ с вентильным и блокирующим транзисторами, где лишь одна из двух схем И имеет запрещающий вход и выполнена на ВТ р-типа и БТ тг-типа. Число входов НЕ, И может быть увеличено за счет ярусного включения транзисторов р-типа и параллельного включения транзисторов n - типа и подключения к объединенным затворам пар этих транзисторов дополняющей пары из ВТ и БТ. На рис. 1.52 показан пример такой схемы, реализующей функцию НЕ, И - т - ИЛИ-НЕ. [52]
В схемах транзисторных стабилизаторов можно использовать как последовательный, так и параллельный тип включения регулирующего транзистора. Однако стабилизаторы первого типа находят наибольшее применение, так как в случае применения в АВМ стабилизаторов с параллельным включением транзистора получались бы, как правило, дополнительные потери выпрямленного тока. [53]
Если температура переходов получается ниже предельно допустимой / пмакс, то данный тип транзисторов может быть применен. Если tntnMBKC, необходимо понизить температуру переходов, что достигается: применением транзисторов с меньшим тепловым сопротивлением переход - среда Rne, установкой транзисторов на радиаторе, параллельным включением транзисторов. [54]
Однако при этом увеличивается мощность, рассеиваемая в цепи базы. Меньшим выходным сопротивлением в области насыщения обладают германиевые транзисторы; значительно более высоким выходным сопротивлением обладают кремниевые транзисторы, применение которых в силовых каскадах, работающих в режиме переключения, является нежелательным. Весьма эффективным методом уменьшения выходного сопротивления в области насыщения является параллельное включение транзисторов. Всегда желательно применение транзисторов с максимально большим усилением по току. [55]
Страницы: 1 2 3 4