Изменение - концентрация - дырка
Cтраница 1
Изменение концентраций дырок и электронов в области пространственного заряда, однозначно определяющее величину ф5, приводит к изменению проводимости приповерхностного слоя. Так, у поверхности полупроводника n - типа при qs0 скапливаются электроны ( обогащенный слой) и проводимость образца увеличивается. Одновременно в приповерхностном слое растет концентрация дырок. При этом изгиб зон оказывается столь большим, что валентная зона становится ближе к уровню Ферми, чем зона проводимости. [1]
Изменение концентраций дырок и электронов в области пространственного заряда, однозначно определяющее величину ф8, приводит к изменению проводимости приповерхностного слоя. Так, у поверхности полупроводника n - типа при ф80 скапливаются электроны ( обогащенный слой) и проводимость образца увеличивается. Одновременно в приповерхностном слое растет концентрация дырок. При этом изгиб зон оказывается столь большим, что валентная зона становится ближе к уровню Ферми, чем зона проводимости. [2]
Изменение концентрации дырок в зависимости от величины напряжения на переходе сопровождается таким же изменением концентрации электронов. Следовательно, при изменении напряжения на переходе во внешней цепи появится емкостная составляющая тока, обусловленная изменением величины заряда подвижных носителей, запасенных в полупроводнике вне области обедненного слоя. Эта составляющая на эквивалентной схеме соответствует протеканию тока через диффузионную емкость. [3]
 |
Распределение неравновесных дырок в области базы биполярного транзистора. [4] |
Изменение концентрации дырок у эмиттерного перехода происходит при изменении напряжения на эмиттере. При постоянном напряжении на эмиттере концентрация дырок у эмиттера остается постоянной. [5]
Третий член представляет собой изменение концентрации дырок в малом объеме, обусловленное тем, что число втекающих в него дырок не равно числу вытекающих из него дырок. Уравнения (1.586) и ( 1.58 г), определяющие поведение электронов, трактуются аналогичным образом. [6]
 |
Равновесное состояние р-п перехода. [7] |
На рис. 8.12 г показано изменение концентрации дырок и электронов при переходе из одной области полупроводника в другую. [8]
У -:, то ясно, что изменение концентрации неравновесных дырок происходит главным образом из-за рекомбинации. [9]
Поэтому в случае колеблющегося напряжения Uc всякое его изменение Л Uc ведет к изменению концентрации дырок в основании, что в свою очередь вызывает соответствующее изменение тока в цепи коллектора и изменение Л Ua напряжения Ua на резисторе R. Таким образом, слабое колебание напряжения в цепи эмиттера вызывает сильное колебание напряжения на выходном сопротивлении цепи коллектора. [10]
Если в течение половины периода дырки успеют пройти только часть расстояния от эмиттера до коллектора, то кривая изменения концентрации дырок в базе достигнет максимума где-то в середине базы, так как в этот момент барьер эмиттер - база увеличится и число инжектируемых дырок значительно уменьшится. [11]
Свойства функции распределения Ферми - Дирака таковы, что-при изменении положения уровня Ферми изменение концентрации электронов обратно пропорционально изменению концентрации дырок. [12]
На рис. 8.23 г показано изменение концентрации дырок при перемещении вдоль оси х, перпендикулярной плоскостям переходов. [13]
Наряду с удельным сопротивлением на поведение носителей электричества в значительной мере проливают свет изменения коэффициента Холла и величины сопротивления в магнитном поле ( магнитосопротивления), которые наблюдаются при последовательной термической обработке. Зависимость коэффициента Холла от Ht для низкотемпературных углеродов объясняется изменением концентрации дырок в нижней гт-зоне графита, поскольку переход электронов в результате теплового возбуждения в верхнюю зону проводимости невозможен из-за слишком широкой запрещенной зоны ( фиг. [14]
В данном виде уравнение непрерывности учитывает изменение концентрации только за счет ухода дырок из объема. Другими словами, в этом виде уравнение непрерывности не учитывает изменения концентрации дырок в рассматриваемом объеме за счет рекомбинации. [15]
Страницы: 1 2