Изменение - концентрация - дырка
Cтраница 2
Инерционность движения дырок в базе сказывается и в случае работы транзистора, например, в качестве усилителя синусоидального напряжения высокой частоты. Если время движения инжектированных носителей от эмиттера к коллектору сравнимо с периодом усиливаемого сигнала, то закон изменения концентрации дырок в базе, инжектированных эмиттером, не будет описываться кривой, монотонно убывающей от эмиттера к коллектору. [16]
Действительно, при освещении в стационарном случае полное число неравновесных дырок в - области равно Jfije, а их заряд У / тт. После выключения света в процессе релаксации все эти дырки исчезают. Изменение концентрации дырок в л-области при выключении света может происходить в результате двух процессов: рекомбинации и перетекания дырок через п - / 7-переход. [17]
До приложения напряжения уровень QF совпадал с После приложения прямого смещения положение в re - области изменилось, а в р-области осталось неизменным. Следовательно, для совпадения уровней химических потенциалов в п-области на границе с барьером должен был измениться сам барьер и как раз на столько, на сколько изменилось рр. Изменение химического потенциала электронов iQFn связано с требованием квазинейтральности: изменение концентрации дырок требует для компенсации заряда изменения концентрации электронов. [18]
 |
Временные диаграммы токов эмиттера и коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, при подаче на вход импульса тока. [19] |
В момент окончания импульса напряжения Ua концентрация дырок в базе на границе эмиттерного перехода мгновенно падает до равновесного значения, образуется обратный градиент концентрации дырок, вследствие чего ток эмиттера меняет свое направление по величине, стремясь к бесконечности. Реально величина тока эмиттера конечна, вследствие наличия сопротивления базы re и емкости эмиттера Сэ. Ток коллектора в момент времени ttz скачком измениться не может, так как изменение концентрации дырок у эмиттера не мгновенно распространяется к коллектору. Поэтому изменение тока базы в момент времени tn равно изменению тока эмиттера. Уменьшение концентрации дырок в базе с течением времени приводит к уменьшению градиентов концентрации их у коллекторного и эмиттерного переходов, что и определяет спад токов базы, эмиттера и коллектора. [20]
 |
Зависимость удель - мов акцепторной примеси - в запре-ной проводимости германия щенной ЗОНС ПОЛУПРОВОДНИКЗ ОбрЗ. [21] |
Это связано с уменьшением концентрации носителей заряда в связи с компенсацией. Когда концентрация образованных облучением акцепторных дефектов равна концентрации основных носителей заряда ( электронов), наблюдается минимум проводимости. Необходимо отметить, что возникновение дополнительных акцепторных примесей в кристалле приводит к уменьшению подвижности носителей. Однако относительное уменьшение проводимости из-за уменьшения подвижности значительно меньше увеличения проводимости из-за изменения концентрации дырок. После облучения германия р-типа электронами высокой энергии его проводимость возрастает. [22]
 |
Зависимость удель - мов акцепторной примеси - в запре. [23] |
Это связано с уменьшением концентрации носителей заряда в связи с компенсацией. Когда концентрация образованных облучением акцепторных дефектов равна концентрации основных носителей заряда ( электронов), наблюдается минимум проводимости. Необходимо отметить, что возникновение дополнительных акцепторных примесей в кристалле приводит к уменьшению подвижности носителей. Однако относительное уменьшение проводимости из-за уменьшения подвижности значительно меньше увеличения проводимости из-за изменения концентрации дырок. После облучения германия р-типа электронами высокой энергии его проводимость возрастает. [24]
После облучения германия n - типа электронами с энергией около 1 МэВ проводимость уменьшается. Это связано с уменьшением концентрации носителей заряда в связи с компенсацией. Когда концентрация образованных облучением акцепторных дефектов равняется концентрации основных носителей заряда ( электронов), наблюдается минимум проводимости. Необходимо отметить, что возникновение дополнительных акцепторных примесей в кристалле приводит к уменьшению подвижности носителей. Однако относительное уменьшение проводимости из-за уменьшения подвижности значительно меньше увеличения проводимости из-за изменения концентрации дырок. После облучения германия р-типа электронами высокой энергии его проводимость возрастает. [25]
После облучения германия n - типа электронами с энергией около 1 Мэв проводимость уменьшается. Это связано с уменьшением концентрации носителей заряда в связи с компенсацией. Когда концентрация образованных облучением акцепторных дефектов равняется концентрации основных носителей заряда ( электронов), наблюдается минимум проводимости. Необходимо отметить, что возникновение дополнительных акцепторных примесей в кристалле приводит к уменьшению подвижности носителей. Однако относительное уменьшение проводимости из-за уменьшения подвижности значительно, меньше увеличения проводимости из-за изменения концентрации дырок. [26]
 |
Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора, находящегося в режиме насыщения при запирании эмиттерно-го перехода. [27] |
В начальный период эмиттер работает в режиме коллектора ( риг. В отличие от статического случая отрицательные токи эмиттера здесь могут иметь значительную величину. Исчезают дырки и вследствие рекомбинации. Через некоторое время отрицательное напряжение на коллекторе восстанавливается, но ток коллектора продолжает оставаться больше тока / к о, так как рассасывание накопленного заряда дырок продолжается. Переход рабочей точки из режима отсечки в режим насыщения также не происходит мгновенно. Последовательные стадии изменения концентрации дырок в базе триода показаны на рис. VI 1.10. Установление концентрации неравновесных носителей в базе будет определяться скоростью протекания диффузионных процессов. [28]
Страницы: 1 2