Полупроводниковое стекло

Cтраница 1

Полупроводниковые стекла на основе окислов железа и титана. [1]

Полупроводниковые стекла состава Pt oGeigSeei после облучения пучком ионов никеля и отжига при 100 - 220 С обнаруживали появление электрически активных дефектов и соответствующих локальных состояний вблизи уровня Ферми. В полупроводнике возникает негомогенность в виде распределения простых дефектов и кластеров в объеме материала. Примеси переходных металлов, например никеля, имеющего незаполненный электронный - подуровень, даже при небольших концентрациях ( приблизительно 0 2 ат. [2]

Классификация - вольт-амперных характеристик переключающих элементов. [3]

Особенностью оксидных полупроводниковых стекол является перенос зарядов перескоком, что совместно с поляризацией, индуцированной зарядом, наиболее близко описывает, по мнению Маккензи [527], механизм проводимости. [4]

Зависимость диэлектрических потерь от частоты переменного электромагнитного поля. [5]

В полупроводниковых стеклах появляется новая - электронная составляющая диэлектрических потерь. [6]

Специальные виды полупроводниковых стекол ( халькогенидных или ванадиевых) обладают электронной или смешанной проводимостью. Удельная объемная электропроводность стекла зависит от подвижности его ионов и поэтому при невысоких температурах ( до 200 С) незначительна, в связи с чем многие стекла ( кварцевое, боросиликатное, малощелочное 13в и др.) являются хорошими диэлектриками и служат в качестве высоковольтных изоляторов. [7]

О структуре оксидных полупроводниковых стекол - в литературе содержится значительно меньше сведений, чем о структуре халькогенидных. [8]

Изменение логарифма, электропроводности 1 и энергии активации 2 ванадиевых стекол в зависимости от их состава. [9]

В состав ванадиевых полупроводниковых стекол могут входить: V20S - от 50 до 90 % мол. [10]

Изменение логарифма электропроводности 1 и энергии активации 2 ванадиевых стекол в зависимости от их состава. [11]

В состав ванадиевых полупроводниковых стекол могут входить: V205 - от 50 до 90 % мол. [12]

В работе [363] полупроводниковое стекло определяется как гомогенное однофазное некристаллическое твердое тело, в котором объемная электронная проводимость преобладает над ионной, и температурный коэффициент сопротивления отрицательный. [13]

Устройство суперортикона ( а, образование потенциального рельефа на двусторонней мишени Брауде ( б, эквивалентная схема одного элемента ( в. [14]

Мишень выполнена из полупроводникового стекла с высоким удельным сопротивлением. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5