Полупроводниковое стекло

Cтраница 4

Классификация полупроводниковых расплавов по структурным признакам [ 14, с. 159. 399 ]. [46]

Данный признак не может быть положен в основу классификации структур многокомпонентных стеклообразных полупроводниковых сплавов, особенно важных в промышленной практике, классифицировать же по этому признаку мизерную часть полупроводниковых стекол - стехиометрические составы - не имеет смысла. [47]

Кроме стекол, составы и свойства которых приведены в табл. 19 - 9 и 19 - 10, имеются группы специальных электровакуумных стекол ( табл. 19 - 12), а также полупроводниковых стекол. Это стекло применяется для изготовления тонких ( 2 - 5 мкм) пленок, использующихся для мишеней суперорти-конов, а также цилиндров - для изготовления электростатических роторных генераторов. [48]

Оба фактора вместе с положением об ослаблении стеклообразующей способности с увеличением атомного номера элемента [97] взяты за отправную точку при разработке излагаемой ниже структурно-энергетической концепции стеклообразования, применение которой позволило прогнозировать образование стекол в десятках халькогенидных систем и экспериментально подтвердить существование полупроводниковых стекол более чем в двадцати из них. [49]

Упомянутые выше структурностабильные стеклообразные материалы ( тип А), в которых структура не меняется в процессе работы прибора, можно встретить среди трехмерных поперечноувязанных халькогенидных стеклообразных сплавов ( например, системы Si - Ge - As - Те), а также среди оксидных полупроводниковых стекол. На рис. 149 показана температурная зависимость удельного сопротивления и кривая дифференциального термического анализа структурностабильного материала. Отсутствие пиков на кривой ДТА и изломов на кривой удельного сопротивления показывает отсутствие структурных изменений в материале. [50]

По-видимому, такая инверсия проявится и у многокомпонентных сплавов на основе указанных двойных систем, что может привести к созданию новых стеклообразных полупроводников. Многокомпонентные полупроводниковые стекла, содержащие висмут и теллур, а также сурьму и теллур, могут оказаться ( по аналогии с системой As-Te) перспективными для практического применения в электронной технике. [51]

Зависимость температуры размягчения Tg от энергии ных теллуридных систем.| Температура размягчения стеклообразных полупрсшоднтошьд с. [52]

Из табл. 32 видно, что Tg халькогенидных стекол лежат в пределах от отрицательных температур до 520 С. Температурные пределы размягчения оксидных полупроводниковых стекол, как правило, сдвинуты в область более высоких температур. [53]

Ионы, содержащиеся в обычном стекле, при комнатной температуре так мало подвижны, что измеримой электропроводности не возникает, поэтому стекло в каждом учебнике относят к группе изоляторов. Тем более удивительно, что в последние годы мы все чаще слышим о так называемых полупроводниковых стеклах. Они характеризуются тем, что в стекле возникает дополнительная электронная проводимость. Обычно она достигается путем введения в состав стекла оксидов металлов, катионы которых находятся в различных степенях окисления. Халь-когенидные стекла тоже обладают подобным типом проводимости, только вызывают ее не оксиды, а сульфиды, селениды и теллуриды таких элементов, как мышьяк, сурьма, кремний и германий. Применение полупроводниковых стекол в телевизионных камерах дает возможность повысить чувствительность на несколько порядков. [54]

Интересная работа выполнена В. А. Иоффе с сотрудниками. Изучение электрических свойств в системах V205 - Р20Б с ВаО, изложенное в докладе Электрические свойства некоторых оксидных полупроводниковых стекол, привело авторов к выводу, что механизм проводимости в них вполне удовлетворительно описывается механизмом, предложенным в свое время Фервеем для большой группы оксидных кристаллических полупроводников со структурой шпинели. [55]

Суперортикон ( рис. 7.7) разработан в 1946 г. в США. Двусторонняя мишень, выполняющая роль вторично-эмиссионного накопителя, представляет собой тонкую ( 3 - 5 мкм) пленку 5 из полупроводникового стекла с коэффициентом вторичной эмиссии а 4 - - 5 и мелкоструктурную сетку 4, расположенную параллельно пленке на расстоянии 30 - 50 мкм от нее. [56]

Устройство суперортикона. [57]

Оптическое изображение при этом преобразуете в электронное. Благодаря действию электрического поля, создавае мого ускоряющим электродом УЭ, электронное изображение перено сится на двустороннюю мишень ДМ, выполненную из тонкого ( 5 мкм полупроводникового стекла с высоким удельным сопротивлением которое вдоль поверхности мишени значительно больше, чем по е ( толщине, что не позволяет потенциалам выравниваться по поверхности. Электроны, несущие изображение с фотокатода, бомбардируя поверхность мишени, вызывают эмиссию из нее вторичных электронов, которые улавливаются сеткой С. [58]

Следовательно, полупроводниковые свойства и стеклообразное состояние - это две наиболее характерные особенности, часто наблюдаемые у веществ, структура которых отличается преимущественно ковалентным характером химических связей. Такое суждение дает основание полагать, что у неорганических стекол с сильно выраженным характером ковалентных связей следует ожидать отчетливое проявление полупроводниковых свойств, а именно: высокую электропроводимость при наличии определенной энергии активации, термоэлектродвижущую силу, фотоэффект и др. Указанные соображения и послужили основой при изыскании составов, практическом синтезе и изучении свойств принципиально нового класса полупроводниковых стекол. [59]

Светочувствительны также многие стекловидные полупроводники, поэтому главная область их применения - оптика, по преимуществу инфракрасная. На их основе созданы передающие телевизионные трубки типа видикон. В этих трубках слои полупроводниковых стекол преобразуют световые сигналы в электрические, передавая таким образом телевизионное изображение. Они же присутствуют в пороговых переключателях электронных приборов благодаря способности резко изменять свою электропроводность, начиная с определенных напряжений. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5