Стенка - домен
Cтраница 4
Исследования показывают, что это происходит вначале за счет роста объемов тех доменов, у которых магнитные моменты совпадают с направлением внешнего поля или близки к нему, при этом уменьшается объем доменов, намагниченных энергетически менее выгодно. Этот процесс идет путем смещения стенок доменов; его сокращенно именуют процессом смещения. В более сильных полях намагничивание происходит за счет того, что магнитные моменты доменов поворачиваются в ту сторону, в которую направлено внешнее поле. Эти процессы именуются процессами вращения. В области очень сильных полей увеличение магнитной индукции практически не происходит, так как почти все моменты уже ориентированы по полю. Магнитная индукция, отвечающая этому состоянию материала, называется индукцией насыщения Bs. При дальнейшем возрастании внешнего поля намагничивание увеличивается слабо лишь за счет парамагнетизма. Если теперь уменьшать напряженность поля, то магнитные моменты доменов начнут поворачиваться в обратных направлениях, однако суммарный магнитный момент при Н - - 0 не обращается в нуль. В образце сохраняется преимущественная ориентация части магнитных моментов. Явление отстаивания изменений индукции от изменений напряженности поля называется гистерезисом. [46]
 |
Зависимость начальной магнитной проницаемости фер-0 5Fe204 ( -. иШРе204 ( 2 от пористости.| Зависимость коэрцитивной силы от пористости для феррита Ni j5Zn0 5Fe204. [47] |
Как следует из рис. 111.33, в определенных пределах увеличение размеров зерен способствует увеличению магнитной проницаемости, причем значительному. Границы зерен являются препятствием для перемещения стенок доменов при намагничивании, следовательно, увеличение зерен до размеров, превышающих размеры доменов, должно способствовать облегчению намагничивания за счет, перемещения стенок доменов. [48]
Структурно чувствительным свойством является также скорость перемещения стенок доменов. Из-за взаимодействия с не-однородностями происходит торможение движения стенок доменов. [49]
Другой причиной характерного изменения молекуляр-но-оптических свойств может быть достаточно большая ширина переходных слоев, в которых направление молекулярной ориентации меняется на обратное. Кстати, именно напряженным состоянием молекул в стенках доменов можно объяснить неравномерность усадки при подсыхании объема раствора ( см. рис. 4.44) и затем-ненность ребер доменов. [50]
Поверхностные, или двумерные, дефекты простираются в двух измерениях на расстояния, сравнимые с размером кристалла, а в третьем - составляют несколько параметров решетки. Таковы плоскости двойникования, границы зерен и блоков, стенки доменов, дефекты упаковки и, наконец, сама поверхность кристалла. [51]
При считывании с магнитного сердечника выходной сигнал 1 индуцируется вследствие переключения магнитного потока в сердечнике. Процесс переключения магнитного потока в сердечнике вызывается последовательным движением стенок доменов и происходит с конечной скоростью. Выходной сигнал помехи при считывании О и сигналы помехи с полувыбранных сердечников образуются из-за изменения магнитного потока в сердечниках при повороте векторов намагниченности. Поскольку процессы параллельного поворота векторов намагниченности протекают значительно быстрее, чем процесс переключения магнитного потока в сердечнике при последовательном смещении стенок доменов, то длительность выходных сигналов 1 и сигналов помех существенно различна. В этом случае метод временного стробирования выходного сигнала позволяет получить значительно лучшее отношение сигнал-помеха, чем использования амплитудного различия для выделения сигнала. Но при увеличении скорости работы ЗУ, когда наряду с уменьшением времени переключения сердечников используют токи выборки с крутыми фронтами, аппаратурная реализация метода стробирования значительно усложняется. [52]
Два устойчивых состояния пленки, обеспечивающие запоминание информации, получают при создании параллельно ее поверхности направления легкого намагничивания. Магнитные свойства пленки характеризуются коэрцитивной силой Нс, соответствующей смещению стенок доменов, и полем анизотропии Hk, эквивалентным внешнему полю, удерживающему вектор намагниченности пленки J в состоянии устойчивого равновесия. При этом если Яс Я Hh, процесс перемагничивания происходит путем смещения стенок доменов. [53]
Такое деление показано на фиг. Однако дальнейшее деление увеличит число и, следовательно, общую площадь стенок доменов, а поскольку последние обладают поверхностной энергией, это приведет к возрастанию энергии стенок доменов в образце. [54]
Присутствие в магнитном материале немагнитных частиц или частиц с иной по сравнению с матрицей намагниченностью насыщения имеет ряд следствий. Прежде всего такие частицы могут располагаться благоприятно или неблагоприятно по отношению к стенке домена. В общем граница домена имеет тенденцию проходить через немагнитные или слабо магнитные участки, поскольку энергия границы при нулевой намагниченности уменьшается. Следовательно, энергия стенки домена может достигнуть минимального значения, если внутри стенки имеется большое число немагнитных участков. Таким образом, стенки доменов будут притягиваться к немагнитным частицам или участкам, и могут потребоваться значительные поля, чтобы оторвать их от этих частиц. Выдвинутая в начале 40 - х годов теория, рассматривающая роль включений в определении величины коэрцитивной силы, не учитывала вначале наиболее существенную составляющую энергии стенок доменов - энергию свободных магнитных полюсов внутри материала. [55]
Эта область соответствует энергии внешнего магнитного поля, при которой происходят необратимые смещения стенок доменов. Указанным смещениям препятствуют примеси в кристалле и другие дефекты кристаллической решетки. Плотность этих дефектов определяет смещения стенок доменов, влияет на магнитное сопротивление и потери на гистерезис. Под влиянием различных дефектов кристаллической решетки возникают нерегулярные колебания смещающихся стенок, которые наблюдаются в виде электромагнитных шумов в процессе намагничивания. В этом заключается суть эффекта Баркгаузена. [56]
Страницы: 1 2 3 4