Cтраница 4
![]() |
Схема ВДП для плавки в гарниса. [46] |
В ВДП дуга горит в пространстве, ограниченном поверхностью ванны и стенкой кристаллизатора, поэтому все эмиттируемые электродом электроны попадают либо на ванну, либо на стенку. Если электроны, бомбардирующие ванну, приносят пользу, подогревая ее, то энергия электронов, попадающих на стенку, уносится водой и расходуется бесполезно, поэтому их количество надо свести к минимуму. [47]
При этом нарядуt надежной защитой металла от вторичного окисления обеспечивается также смазка стенок кристаллизатора, Металл в кристаллизатор входил затопленной струей через стаканчик с вертикальным каналом. При разливке металла под слоем шлака в кристаллизаторе снижается число грубых дефектов, однако такая разливка недостаточно эффективна вследствие невозможности подвода металла в кристаллизатор горизонтальной затопленной струей, что обеспечивало бы поддержание шлака в жидкоподвижном состоянии. [48]
Одновременно в перемешиваемой среде при столкновениях кристаллов друг с другом и со стенками кристаллизатора возникают дополнит, структурные дефекты. Поэтому в системе постепенно устанавливается стационарная дефектность кристаллов, к-рая зависит от интенсивности перемешивания. [50]
![]() |
Строение стального слитка. [51] |
При соприкосновении жидкого металла с этими заготовками ( затравками) и со стенками кристаллизаторов начинается быстрое затвердевание его, еще более усиливающееся при проходе через зону 4 вторичного охлаждения. Затвердевшая заготовка вытягивается роликами 5, действующими от специального механизма, к тележкам газорезок 6, разрезается на куски, а затем по конвейеру поступает в прокатный цех. [52]
Восстанавливаемый магний возгоняется при этой температуре и конденсируется в виде кристаллов на стенках цилиндрического кристаллизатора. [53]
При определении коэффициента теплопередачи через корону следует учитывать, что соприкосновение короны и стенки кристаллизатора происходит не по всей поверхности, а в отдельных точках, число которых достаточно велико. [54]
Температура tcr заранее известна не бывает, кроме того, она меняется по высоте стенки кристаллизатора. [55]
В уравнении ( 139) не учитывается мощность, поступающая непосредственно из разряда на стенку кристаллизатора, вследствие ее малости по сравнению с остальными составляющими ( см. гл. [56]
Если кремнийорганическое соединение кристаллизуется с трудом, кристаллизацию можно вызвать, потирая стеклянной палочкой о стенки кристаллизатора или вводя затравку - кристаллик чистого вещества. Кроме внесения затравок, в качестве инициаторов кристаллизации применяют радиоактивное излучение, ультразвук, электрическое и магнитное поля. [57]
Моменты перехода от одних видов деформаций заготовки к другим и от движения в контакте со стенками кристаллизатора к свободному движению определяются в результате решения системы трансцендентных уравнений. [58]
При расчете коэффициента теплопередачи должно учитываться тепловое сопротивление слоя кристаллов парафина, отлагающегося на внутренней поверхности стенки кристаллизатора. [59]
При расчете коэффициента теплопередачи должно учитываться тепловое сопротивление слоя кристаллов парафина, отлагающегося на внутренней поверхности стенки кристаллизатора. [60]