Дислокационная стенка

Cтраница 1

Различные ямки травления на кристалле SiC ( X 440. [1]

Дислокационные стенки перпендикулярны направлениям скольжения. Некоторые ряды ямок травления изогнуты. [2]

Дислокационные стенки в изогнутом кристалле образуются в результате сочетания процессов скольжения и переползания дислокаций. Из простого сопоставления рис. 16 а и б видно, что только скольжением в горизонтальных плоскостях дислокации не могут установиться одна над другой в виде вертикальной стенки. Для этого необходимо переползание, а оно состоит в достраивании или растворении кромок неполных атомных плоскостей и обеспечивается медленным диффузионным процессом. Скорость переползания - наиболее медленного процесса - определяет скорость выстраивания дислокаций в стенки. [3]

Исследуем дислокационные стенки, состоящие из дислокаций с одинаковым вектором Бюргерса. Распределение интенсивности рассеяния кристаллами с такими стенками оказывается качественно разным в зависимости от того, находятся ли дислокационные линии на строго одинаковом расстоянии друг от друга или распределены в стенке хаотически. [4]

Схема распределения дислокаций в деформированном изгибом кристалле. [5]

Такие дислокационные стенки хорошо выявляются металлографически в виде рядов ямок травления, расположенных перпендикулярно плоскостям скольжения. Каждая ямка травления расположена в месте выхода дислокации на поверхность шлифа. [6]

Поверхностные дефекты представляют собой дислокационные стенки, либо переходные области между кристаллическими решетками различных ориентации. [7]

С увеличением времени отжига образуются прерывистые дислокационные стенки вследствие объединения отдельных сегментов стенок. [8]

При отжиге дислокации перераспределяются, образуя дислокационные стенки ( фиг. Таким образом, процесс полигонизации связан с образованием субзерен с малым углом дезориентации. Этот случай наиболее простой: монокристалл ориентирован таким образом, что при его изгибе ( в плоскости чертежа) активна только одна система скольжения. [9]

Поверхность пленок РЬТе на слюде при Ти 390 С ( а, 410 С ( б и 420 С ( в при увеличении 15 000. [10]

Сохраняющийся при этом малоугловой поворот компенсируется дислокационной стенкой, которая образуется в месте контакта. [11]

В некоторых случаях дислокации образуют в растущем монокристалле полупроводника устойчивые дислокационные стенки - так называемые малоугловые границы. Этот вид дефекта встречается очень часто в дислокационных монокристаллах полупроводников. Причина образования малоугловых границ - миграция подвижных дислокаций под действием термических напряжений в области монокристалла, где их уровень близок к нулю. В результате возникают протяженные их скопления, образующие дислокационные стенки. [12]

Иллюстрацией сказанного является взаимосвязь клиновой дисклинации с так называемой дислокационной стенкой. [13]

Величина Д а определяет плотность дислокаций, расположенных в избыточных дислокационных стенках. Таким образом, избыточные дислокации, хаотически расположенные или распределенные в дислокационных стенках, приводят к одинаковому общему развороту нормалей кристаллической решетки. [14]

Они могут быть распределены хаотически, а могут собираться в дислокационные стенки. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5