Дислокационная стенка

Cтраница 4

Дефекты кристаллической решетки - энергетически более выгодные места для атомов углерода, чем нормальные позиции этих атомов в решетке мартенсита. Атомы углерода упруго притягиваются к дислокациям и дислокационным стенкам. Сегрегации углерода образуются на структурных несовершенствах при комнатной температуре сразу после закалки и даже в период закалочного охлаждения от температуры Мп до комнатной. Следовательно, в период закалочного охлаждения в мартенситном интервале, особенно сталей с высокой точкой Мн ( малоуглеродистых), развивается самоотпуск. Для насыщения атмосфер на дислокациях в мартенсите требуется примерно 0 2 % С. [46]

Дислокационное строение ( а и дисклинационный механизм движения ( б мезоскопических полос переориентации. [47]

На рис. 4.7 показано, что разориентация ср на границах мезополосы вызвана стенками равномерно расположенных краевых дислокаций с величиной вектора Бюргерса b и расстоянием между дислокациями h, причем ср ЫН. Подобный подход существенно упрощает математическое описание модели, заменяя дислокационные стенки эквивалентными дисклинацион-ными источниками упругих полей. Однако главное в модели то, что она правильно отражает физический механизм развития полос переориентации, связанный с перемещением линий, которые ограничивают незавершенный пластический поворот. В итоге переориентация участка кристалла изменяется скачком ( дискретно) после прохождения полосы, аналогично дискретному изменению сдвига в плоскости скольжения после прохождения дислокации. [48]

Величина Д а определяет плотность дислокаций, расположенных в избыточных дислокационных стенках. Таким образом, избыточные дислокации, хаотически расположенные или распределенные в дислокационных стенках, приводят к одинаковому общему развороту нормалей кристаллической решетки. [49]

По теории Тейлора величина мгновенного предела текучести ( сопротивления деформации) определяется внутренними напряжениями, которые мешают движению дислокаций. Дислокации, задерживаясь в кристаллах, постепенно создают внутренние напряжения, образуются дислокационные стенки и скопления, повышается величина сопротивления деформации данного материала. [50]

Изменение оодержа-ния углерода в а. растворе при отпуске мартенсита в стали с 0 56 % С ( Э. 3. Каминский, Т. И. Стел. [51]

Возврат и рекристаллизация в а-фазе происходят в широком интервале температур отпуска. Развитие этих процессов сдерживается частицами карбидных выделений, закрепляющих отдельные дислокации, дислокационные стенки и высокоугловые границы. Закрепление слабее выражено в малоуглеродистых сталях, где соответствующие процессы изучены подробнее. [52]

В-третьих, электронная просвечивающая микроскопия, являющаяся в настоящее время основным способом исследования структуры материала. Достигнутая разрешающая способность позволяет исследовать тонкое строение дислокационных ансамблей, в том числе дислокационных стенок и сеток, которые вызывают переориентацию прилегающих к ним областей. [53]

Третья группа факторов, которую следует отметить, обсуждая возможные методы и методики исследования поверхностей трения - особенности структуры, возникающие вследствие фрикционного взаимодействия. Это весьма высокая степень деформации поверхностных слоев с возникновением ячеистой структуры, образованной дислокационными стенками. Одновременно при трении наблюдается выраженное текстурирование поверхностей, когда их кристаллическая структура как бы приспосабливается к действующей схеме деформации. [54]

Влияние температуры отжига на твердость холодакжата Ных алюминиевых бронз ( И. Л. Рогельберг. [55]

Природа упрочнения при дорекристаллизационном отжиге в разных сплавах различна. Наиболее общей причиной упрочнения является закрепление подвижных дислокаций в исходном холод-ыодеформированном материале и в дислокационных стенках, возникших при полигонизации во время отжига. [56]

Вклад фазового наклепа определяется плотностью дислокаций, созданной в исходном состоянии, и ее изменениями в процессе эксплуатации. При отпуске и длительной эксплуатации карбиды ванадия выделяются на дислокациях и закрепляют их; созданные дислокационные стенки являются барьером для движения новых дислокаций, возникающих под действием напряжений в процессе ползучести. [57]

Профиль линии брэгтовского отражения в кристалле. а идеальном. б мозаичном. [58]

Большинство кристаллов имеет внутренние напряжения, обусловленные дислокациями. В таких кристаллах энергия внутренних напряжений уменьшается при уходе дислокации из объема кристалла и образовании ими дислокационных стенок ( процесс полигонизации), разделяющих соседние блоки с правильной структурой. В результате образуется мозаичный кристалл, обладающий блочной структурой. Разориентировка блоков обычно составляет доли градуса, а в крупноблочных мозаиках достигает нескольких градусов. [59]

На основании работы [326] можно предположить, что различие заключается в том, что при образовании сбросов дислокационные стенки возникают внутри полосы сброса, а к линиям изгиба дислокационные стенки подходят снаружи. При этом наблюдается не резкий переход, а более плавное изменение угла в местах скоплений дислокаций. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5