Дисилицид - вольфрам
Cтраница 1
 |
Сечение Мо-SiC диаграммы состояния системы Mo-Si - С. [1] |
Дисилицид вольфрама получен Дефаком [521] синтезом из кремния и вольфрама в электрической печи в присутствии силицидов меди, а также алюминотермией. [2]
Дисилицид вольфрама реагирует со фтором при комнатной температуре, а с хлором и бромом - лишь при сильном нагревании. С йодом он не реагирует заметно. В кислороде загорается при нагревании до красного каления. Едкие щелочи ( 10 % - ные) воздействуют на этот силицид медленно. В расплавленных едких щелочах он легко разлагается, тогда как расплавленный KHSO4 на него не действует даже при красном калении. [3]
Указанные свойства дисилицида вольфрама обусловливают его ценность для техники высоких температур. [4]
В результате исследования жаростойкости дисилицида вольфрама на воздухе в интервале 600 - 1800 С [285, 286] были обнаружены три температурные области, в которых его окисление протекает по-разному и для которых характерны специфические механизмы формирования окисных пленок. Существование этих областей обусловлено изменением свойств WO3 и SiO2 в зависимости от температуры. [5]
Особый интерес представляет окисление дисилицида вольфрама, легированного А1, при температурах выше 1700 С. [6]
Близкими по окалиностойкости к MoSi2 является дисилицид вольфрама WSiz. Аналогично MoSi2 у этих силицидов образуется защитная самовосстанавливающаяся пленка. [7]
В работе [88] исследовано окислительное разрушение образцов из дисилицида вольфрама, полученных различными методами. Было установлено, что наиболее интенсивное разрушение происходит в интервале температур 700 - 1000 С. Основной причиной разрушения, по мнению авторов работы [88], служат различного рода макродефекты в образцах: поры, трещины, напряжения, загрязненность границ зерен. Это подтверждается тем, что беспористые образцы дисилицида вольфрама, полученные вакуумным сили-цированием, в этих условиях не разрушались. [8]
На воздухе вольфрам устойчив до 400 С, а дисилицид вольфрама в этих же условиях сопротивляется окислению до 900 С. [9]
Поэтому приготовление образцов производилось в два этапа: получение дисилицида вольфрама и последующее его алюмини-рование. [10]
Этот эффект может сыграть определенную роль в замедлении низкотемпературного разрушения дисилицида вольфрама. [11]
Как показали результаты рентгенографических исследований, окисная пленка, образующаяся на дисилициде вольфрама при 1500 и 1600 С, стеклоподобная по внешнему виду, дает слабую дифракционную картину. Наиболее интенсивная линия, соответствующая межплоскостному расстоянию 4.07 А, близка к наиболее интенсивной линии высокотемпературной модификации крис-тобалита. Если по интенсивности этой линии судить о количестве кристаллического Si02, то на внутренней поверхности всех негомогенизированных образцов его образуется больше, чем на внешней, в то время как у гомогенизированных образцов это различие исчезает. С увеличением температуры получения и температуры окисления количество Si02 растет. Окисная пленка, образовавшаяся при температурах 1700 и 1800 С, не дает дифракции. Дополнительный отжиг образцов при более низких температурах приводит к кристаллизации ее. [12]
Как показали результаты рентгенографических исследований, окисная пленка, образующаяся на дисилициде вольфрама при 1500 и 1600 С, стеклоподобная по внешнему виду, дает слабую дифракционную картину. Наиболее интенсивная линия, соответствующая межплоскостному расстоянию 4.07 А, близка к наиболее интенсивной линии высокотемпературной модификации крис-тобалита. Если по интенсивности этой линии судить о количестве кристаллического Si02, то на внутренней поверхности всех негомогенизированных образцов его образуется больше, чем на внешней, в то время как у гомогенизированных образцов это различие исчезает. С увеличением температуры получения и температуры окисления количество SiO2 растет. Окисная пленка, образовавшаяся при температурах 1700 и 1800 С, не дает дифракции. Дополнительный отжиг образцов при более низких температурах приводит к кристаллизации ее. [13]
Для аналогичных конструкций из вольфрама и сплавов на его основе применяется плазменное напыление дисилицида вольфрама, что обеспечивает защиту от окисления до - 1800 С. [14]
Изучена кинетика окисления полученных образцов при температурах 850, 1150 и 1500 С, и проведено сравнение с окислением чистого дисилицида вольфрама. Показано, что алюминий улучшает пластичность WSi2 и почти не влияет на скорость его окисления. Изучен фазовый состав окислов. [15]
Страницы: 1 2