Степень - совершенство - кристалл
Cтраница 1
Степень совершенства кристаллов зависит от картины теплового поля в зоне роста кристаллов, а следовательно, и от степени пересыщения пара над поверхностью растущих кристаллов, а также от точности поддержания температуры в процессе их роста. [1]
 |
Дислокационная картина в образце ца расстоянии 20 мм от затравки. Отр. 220, пл. ( Til. Ув. Х10. [2] |
Определение степени совершенства кристаллов, полученных по методу Чохральского с применением: методик, отличающихся только высотой слоя флюса, показали, что слитки существенно отличаются друг от друга. [3]
Поскольку теперь степень совершенства кристаллов, образующихся при изотермической кристаллизации, такая же или выше, чем степень совершенства кристаллов, образующихся при рекристаллизации рассмотренных выше образцов, рекристаллизация их не происходит. [4]
Рентгеноструктурный анализ позволяет определять степень совершенства кристаллов, тип твердых растворов, величину микронапряжений. [5]
Немаловажным является вопрос о степени совершенства кристаллов. Известно, что кристаллы, выращенные в условиях, обеспечивающих достаточную чистоту и регулирование скорости охлаждения, содержат много дефектов, а последние, как будет показано позднее, оказывают влияние как на окисление, так и на каталитическую активность. В настоящее время предпринимаются попытки вырастить возможно более совершенные кристаллы и точнее определить влияние различного рода дефектов на каталитическую активность. [6]
С понижением температуры размер и степень совершенства кристаллов и гидратных сростков в солевых средах возрастают, что ведет к упрочнению цементного камня и одновременно к увеличению его пористости и проницаемости; щ щелочных электролитах ( особенно в КЩР) этот процесс идет медленно и постоянный рост прочности камня 3 - С25 не сопровождается увеличением его проницаемости; при отрицательных температурах это приводит к значительному увеличению долговечности камня в условиях замораживания-оттаивания. [7]
С помощью рентгеноструктурного анализа возможно определение - степени совершенства кристаллов, типа твердых растворов, величины микронапряжений. [8]
Интересное наблюдение было сделано [ 99] относительно зависимости степени совершенства кристаллов от времени кристаллизации при постоянной температуре. Однако температура пика плавления значительно увеличивается при увеличении времени кристаллизации и отжига. На основании этих данных было высказано предположение, что совершенствуется только структура поверхности кристаллов. Выравнивание поверхности кристаллов и конформа-ционное упорядочение цепей в поверхностном слое должны уменьшать поверхностную энергию кристаллов и соответственно повышать температуру плавления даже без увеличения степени совершенства самих кристаллов. [9]
В природе существует несколько типов алмазов, различающихся степенью совершенства кристаллов и физическими свойствами. [10]
При низких температурах теплопроводность твердых элементов сильно зависит от степени совершенства кристалла, наличия примесей и других дефектов. Значения X при температурах вблизи и ниже температуры, соответствующей максимуму теплопроводности, относятся к наиболее чистым и совершенным образцам. Для металлов приведены значения остаточного удельного электрического сопротивления р0 [ либо отношения р ( 300 К) / ро ], которые характеризуют качество образцов. [11]
Описываются результаты исследования зависимости интенсивности отражения рентгеновских лучей от степени совершенства кристаллов фокусирующих монохроматоров. Приводятся аналитические условия оценки оптимальных параметров мозаичности ( размер и угол разориентировки блоков), которым должен удовлетворять кристалл-монохроматор для получения максимальной интенсивности отражения. [12]
Температурная протяженность каждой из областей зависит от длины складки и степени совершенства кристаллов. [13]
Возможность эпитаксиального нарастания зависит не только от геометрического соответствия срастающихся плоских сеток, но и от степени совершенства срастающихся кристаллов, поверхностной структуры грани, температуры, давления и ряда других факторов. [14]
Поскольку теперь степень совершенства кристаллов, образующихся при изотермической кристаллизации, такая же или выше, чем степень совершенства кристаллов, образующихся при рекристаллизации рассмотренных выше образцов, рекристаллизация их не происходит. [15]
Страницы: 1 2 3