Степень - совершенство - кристалл
Cтраница 2
Подобно тому, как это имело место у многих других полупроводников, максимальная величина подвижностей электронов и дырок в теллуре благодаря постепенному повышению чистоты и степени совершенства кристаллов все время растет. [16]
В последнее время начали широко применяться методы ] Гвыра-щивания монокристаллов из высокотемпературных растворов ( которые часто называют растворами-расплавами), что связано с многими известными их достоинствами ( снижение температуры выращивания, снижение температурных напряжений в кристаллах, увеличение степени совершенства кристаллов и др.) - Однако преимущества этих новых методов могут быть реализованы лишь после решения ряда специфических задач, которые характерны для методов выращивания из растворов-расплавов, иначе, для ношотермических методов выращивания из растворов-расплавов, связанных с постепенным сравнительно медленным охлаждением материнского раствора. [17]
 |
Зависимость деформации от времени облучения при Т 120 С. Обозначения кривых те же, что и на 113.| Рост монокристалла урана в направлении во время облучения при ПО и 425 К. [18] |
Нестабильность радиационно-индуцированных изменений размеров урановых образцов, облученных малыми дозами, проявляется также в эффекте возврата деформации радиационного роста при послерадиационном отжиге. Величина возврата зависит от степени совершенства кристаллов. Согласно этим данным, отжиг вплоть до 500 К после облучения от 10 до 20 К вызывает менее 7 % возврата для монокристаллических образцов и около 16 % для поликристаллов. [19]
Важным параметром рассеяния является отношение величин интегрального прохождения и отражения. При экспериментальных исследованиях это отношение может служить приближенным критерием степени совершенства рассеивающего кристалла. [20]
Наконец, Кнапп26 и Мей и Кольтгоф 18 рассмотрели влияние электрического заряда поверхности и пришли к выводу, что с уменьшением размера частиц растворимость сначала увеличивается, проходит через максимум и затем снова падает. Известно, что заряд поверхности изменяется в зависимости от условий осаждения и даже от степени совершенства кристаллов; следовательно, было бы ошибочным считать, что максимальная растворимость соответствует определенному размеру частиц данного осадка. [21]
Кривая диэлектрической проницаемости е ( рисунок) имеет свой обычный вид. Интегральная интенсивность IQQTT в некотором интервале температур 1 - 0 01, в зависимости от степени совершенства кристалла, имеет аномалию. [22]
Геометрия К-линий, очевидно, отражает ориентацию кристалла и показывает симметрию эквивалентных рядов атомных плоскостей. Когда дифракционную картину получают с помощью тонкого пучка электронов, порождающего рентгеновские лучи или рассеянные небольшой областью кристаллического образца электроны, это дает чувствительный метод определения изменений ориентации или степени совершенства кристалла. [23]
Правомерность гипотез о вакансионном механизме образования дислокаций автор подвергает сомнению и предполагает, что вакансии могут лишь способствовать переползанию дислокаций и выстраиванию их в сетки, а избыточные вакансии, возникающие при охлаждении, будут частично поглощаться дислокациями и частично выходить на границу раздела фаз. Степень совершенства кристаллов зависит от плотности и характера дислокаций и других дефектов ( трещин, царапин) на поверхности затравки. Применяя бездефектные бездислокационные затравки, удалось вырастить монокристаллы Si без дислокаций. [24]
На рис. 8 - 2 представлены некоторые электронные микрофотоснимки осадков сульфата бария [16] и диметилглиоксимата никеля [26], образующихся при различных условиях. Совершенно очевидно, что размер и форма частиц осадка могут значительно изменяться в зависимости от природы осадка и от способа осаждения. Степень совершенства кристаллов одного размера тоже может изменяться в зависимости от условий. Оценка величины частиц посредством линейных размеров может оказаться ошибочной. [25]
При выращивании монокристаллов InSb из сформированного стержня, диаметр которого равен диаметру контейнера, необходимо непрерывно изменять угол наклона контейнера к горизонту, в связи с тем, что диаметр получаемого монокристалла с хорошей поверхностью - на 0 2 - 0 3 мм меньше диаметра исходного слитка. Поэтому по мере продвижения нагревателя при постоянном угле наклона объем пустоты над расплавленной зоной постепенно уменьшается, свободная полость перед фронтом кристаллизации исчезает - монокристалл формируется точно по внутреннему диаметру контейнера. При этом огранка исчезает, степень совершенства кристалла или резко ухудшается, или рост монокристалла прекращается совсем. В данном случае кристаллизация происходит аналогично обычному методу Бриджмена. [26]
Начиная с низких температур, теплопроводность растет с температурой, пока не достигнет максимального значения. Этот максимум на кривой является характерной особенностью всех неметаллических кристаллов ( ср. Температура максимума зависит от размера кристаллитов и степени совершенства кристаллов. [27]
На кривой температурной зависимости теплопроводности имеется максимум, положение и величина к-рого зависят от размеров и степени совершенства кристаллов. [29]
Сейчас уже невозможно дать описание всех или даже большинства проблем, успешно решаемых дифракционными методами, однако ряд методических приемов структурного анализа является достаточно общим для различных областей науки и техники. Любое экспериментальное исследование должно начинаться с подробного изучения исходного объекта. По его дифракционному спектру 3 ( О) определяют атомно-кристаллическую структуру или идентифицируют ее с известной структурой эталона, изучают фазовый состав объекта, определяют размеры элементарной ячейки. В случае монокристаллических образцов определяют ориентацию и степень совершенства кристалла, для поликристаллов бывает важным знание размеров зерен и наличия текстуры. [30]
Страницы: 1 2 3