Высокая степень - интеграция
Cтраница 1
Высокая степень интеграции, достигнутая в БИС. [1]
Высокая степень интеграции БИС, на которых создаются машины четвертого поколения, способствует увеличению цлотности компоновки электронной аппаратуры, что, в свою очередь, создает условия для дальнейшего развития логической структуры ( архитектуры) современных машин и их программного обеспечения, особенно операционной системы, образующей со структурой машины более тесную связь. [2]
Высокая степень интеграции топливно-энергетических отраслей в систему мирохозяйственных связей предопределяет значение и ключевые направления сырьевой стратегии для участников ОПЕК. Превалирующим, на наш взгляд, для них всех в настоящее время выступает внешнеэкономический аспект, который, если оправдаются высказанные здесь только что предположения, сохранит за собой центральное место в ближайшей обозримой перспективе среди приоритетов арабских членов организации и, возможно, Нигерии. Нефтегазовая политика весьма тесно переплетается с внешнеторговой, а с учетом узкой специализации этих стран в системе международного разделения труда, по сути, почти тождественна экспортной политике. В значительной мере то же самое справедливо и для валютно-финансовой области, поскольку вывоз товаров топливной группы является основным источником валютных поступлений и, следовательно, главным инструментом регулирования внешних финансовых расчетов. Причем с данных точек зрения ситуация принципиально не изменится от того, будут ли предметами экспорта первичные энергоресурсы или вторичные энергоносители. [3]
 |
Структура одноплатной микро - ЭВМ на микросхемах серии К1801. [4] |
Высокая степень интеграции микропроцессорного комплекта БИС серии К1801, реализующего принципы магистрально-модульной организации, наличие в составе комплекта однокристальных микропроцессоров и периферийных микросхем позволяют применять его для создания высокоэффективных микропроцессорных средств. [5]
Такая высокая степень интеграции, а также успехи системе - и схемотехники позволили начать серийный промышленный выпуск монолитных полупроводниковых блоков цифровых электронных схем, в том числе и микропроцессоров - устройств, которые выполняют функции, аналогичные функциям процессоров универсальных ЭВМ. [6]
При высокой степени интеграции возрастает сложность и многообразие функциональных проверок с учетом разнообразия функций, выполняемых схемами, и особенностей применяемой схемотехники. В настоящее время весьма эффективным считается функциональный динамический контроль, позволяющий проверять БИС в условиях, близких к эксплуатации. [7]
При высокой степени интеграции на отдельном кристалле СБИС оказывается возможным реализовать законченное вычислительное устройство с соответствующим программным обеспечением. Принципиальным отличием МП от других, размещенных на одном кристалле БИС, например ЗУ, является обработка информации по программе. Программный способ управления МП обеспечивает посредством одной БИС решение множества различных задач с помощью цифровых устройств с жесткой логической структурой. Таким образом достигается универсальность БИС и сокращается их номенклатура. Но тем не менее число типов МП достаточно велико и продолжает увеличиваться по мере расширения сферы их применения. [8]
ИС высокой степени интеграции, необходимые и достаточные для построения основных узлов вычислительной техники. Это объясняется большой эффективностью их применения, обусловленной малыми габаритами, высокой производительностью, надежностью, относительно низкой стоимостью и гибкостью программируемого вычислителя. МПС), так и специализированные, решающие наиболее эффективно задачи определенного класса. Вопросы, посвященные разработке вычислительных устройств на основе микропроцессорных комплектов ( МПК), достаточно подробно описаны как в зарубежной, так и в отечественной литературе, однако целесообразно упомянуть об ограничениях, накладываемых пока на применение МП в некоторых системах. [9]
Его характеризуют высокая степень интеграции ( иногда в литературе встречается термин СБИС - сверхбольшая интегральная схема), малое энергопотребление, высокая ( гораздо выше, чем у обычных процессоров, реализуемых на схемах малой и средней интеграции) надежность и, главное, резкое падение стоимости по сравнению с другими вычислительными устройствами. Стало экономически целесообразным встраивать такое устройство в отдельный аппарат или машину. Происходит дальнейшее уменьшение массы, габаритов и стоимости этих устройств. Такие устройства экономически целесообразно встраивать в каждый датчик и исполнительный механизм [35], обеспечивая максимальную - степень использования получаемой от объекта управления информации и оптимальные характеристики управляющих устройств. Все это приводит к увеличению числа пользователей такими вычислительными устройствами. [10]
 |
Схема организации электрических связей в матрице БМК с каналами для трассировки. [11] |
В БИС высокой степени интеграции ( десятки тысяч элементов) используется двух - и трехуровневая металлизация. В качестве межуровневого диэлектрика применяются пленки диоксида кремния. Проектирование и изготовление таких БИС усложняется. [12]
Разработка ИМС высокой степени интеграции пошла по пути соединения на одном кристалле логических элементов с использованием тех же методов групповой технологии соединений, которые используются в простых микросхемах. Так бы ли созданы однокристальные большие интегральные микросхемы - БИС, содержащие в одном корпусе большое количество связанных между собой простых логических элементов. Этому способствовало то, что структуры электрических схем цифровых ЭВМ строятся обычно из большого числа однородных элементарных схем. [13]
В БИС высокой степени интеграции ( десятки тысяч элементов) используется двух - и трехуровневая металлизация. В качестве межуровне-вого диэлектрика применяются пленки диоксида кремния. Проектирование и изготовление таких БИС усложняется. Например, при двухуровневой металлизации требуются четыре заказных фотошаблона для формирования окон в первом слое оксида, покрывающем элементы, первого слоя проводников, окон во втором слое оксида и второго слоя проводников. [14]
Микросхемы ТТЛ высокой степени интеграции ( БИС, СБИС) потребляют более 100 мА на один корпус. На рис. 6.3 показаны значения входных и выходных токов в соответствии с логическими состояниями. [15]
Страницы: 1 2 3 4