Высокая степень - интеграция
Cтраница 3
 |
Зависимость яркости ЭЛЭ от управляющего напряжения ( а и потребляемой мощности от частоты ( 6. [31] |
Таким приборам присущи следующие особенности: высокая степень интеграции, эффективное использование площади, большая яркость, высокая надежность, возможность создания индикатора; / / & любой формы. Электролюминесцентный элемент переменного тока состоит из прозрачного металлического, светящегося, отражающего диэлектрического и контактного слоев. Толщина прибора не превышает 1 мм. [32]
Снижение процента выхода годных схем при высокой степени интеграции можно частично предотвратить путем применения БИС с избирательными соединениями. В противоположность схемам, имеющим фиксированные соединения, такой тип БИС не требует 100 % - ной годности всех элементов схемы. Проверкой готового кристалла с некоторой избыточностью элементов устанавливаются наличие и координаты дефектных участков. По этим данным и имеющейся функциональной схеме БИС ищется такой рисунок межэлементных соединений, который дает нужное функционирование схемы без использования дефектных участков. Затем уже по найденному рисунку изготавливают соединения между элементами. Естественно, реализация БИС с избирательными соединениями весьма сложна. Она требует использования ЦВМ не только для поиска вариантов межсоединений, но и для непосредственного управления процессом их производства. [33]
От структур на шпинелевой подложке ожидают высокой степени интеграции и тактовой частоты БИС порядка 1 ГГц. Такая частота реализуема в пределах одного кристалла, где малы нагрузочные емкости ( около 0 01 пФ), но не сохраняется при передаче сигналов во внешние цепи, так как в цепях связи нагрузочная емкость неизбежно возрастает. [35]
Система управления складом готовой продукции отличается высокой степенью интеграции с корпоративной системой управления предприятием, возможностью поддержки большого спектра дополнительного оборудования, а также значительной автономностью для возможности вмешательства персонала склада в работу системы управления. В этом отношении такие системы приближаются по своим параметрам к производственным автоматизированным системам, что в прочем и не удивительно, поскольку на многих предприятиях склад называют цехом готовой продукции и рассматривают как часть производства. [36]
 |
Блок-схема системы контроля МОП-БИС. [37] |
Первой отечественной системой контроля схем с высокой степенью интеграции на базе мини - ЭВМ была экономичная одно-постовая система ( рис. 48), ориентированная на функциональные испытания МОП - БИС с четырехтактной динамической логикой. [38]
Для реализации в виде БИС с высокой степенью интеграции более ( 4 кбит) ячейки ЗУ статического типа являются слишком сложными, так как содержат от шести до восьми транзисторов на один разряд и три-четыре шины ввода - вывода. [39]
В настоящее время в схемах с высокой степенью интеграции интенсивно 1используются комплементарные МОП-элементы ( КМОП), обладающие рядом ценных свойств: малой потребляемой мощностью в статическом режиме, относительно высоким быстродействием, хорошей помехоустойчивостью, большой нагрузочной способностью и высоким уровнем интеграции. [40]
Наконец, гибридная технология позволяет создавать схемы высокой степени интеграции - большие гибридные интегральные схемы ( БГИСы), которые в отличие от полупроводниковых БИС имеют практически неограниченную степень интеграции. [41]
Преодолеть эти трудности при изготовлении гибридно-пленочных ИМС высокой степени интеграции позволяет применение бескорпусных полупроводниковых микросхем. В этом случае структура пассивной части пленочной схемы может представлять собой многослойную коммутационную плату с контактными площадками для присоединения бескорпусных микросхем и внешних соединений. В таком варианте конструкции коммутационная плата сильно упрощается, так как большая часть соединений между элементами электрической схемы выполняется теперь на кристалле бескорпусной микросхемы. [42]
По мере развития технологии изготовления микросхем с высокой степенью интеграции и МОП технологии возникла необходимость устранить операцию крупномасштабного вычерчивания оригинала фотошаблона микросхемы. [43]
Полупроводниковая технология позволяет создавать полупроводниковые БИЛС с высокой степенью интеграции. [44]
Кроме того, И2Л технологична, обладает высокой степенью интеграции, имеет низкое напряжение питания и потребляемую мощность, наилучшее соотношение потребляемой мощности и среднего времени задержки, сравнительно высокое быстродействие ( сравнимое с быстродействием ТТЛ при значительно меньшей потребляемой мощности), возможность стыковки с ТТЛ-схемами. Такие достоинства И2Л в полной мере реализуются только при использовании этих элементов в БИС. Поэтому И2Л в ИС малой степени интеграции не используется. [45]
Страницы: 1 2 3 4