Изменение - коллекторное напряжение
Cтраница 2
 |
Эквивалентная схема. [16] |
Поэтому при отрицательном перепаде входного импульса и прекращении ( или изменении полярности) тока базы ( момент 2) вначале изменения коллекторного напряжения не происходит, пока не закончится рекомбинация зарядов вблизи коллекторного перехода. [17]
 |
Простейшая схема последовательного транзисторного. [18] |
С нет переменной составляющей напряжения, то пульсация на нагрузке L / o - оказывается приложенной к переходу эмиттер-база транзистора в оротивофазе с изменением коллекторного напряжения, компенсируя пульсации напряжения на входе фильтра за счет изменения внутреннего сопротивления транзистора. [19]
Для большинства германиевых транзисторов эта величина относительно невелика и лежит в пределах 0 1 - 0 7 мв сдвига эмит-терного напряжения на 1 в изменения коллекторного напряжения. [20]
 |
Переходная характеристика тока коллектора rpamn - тора s P 2 -. [21] |
В конце регенеративной стадии повышается коллекторное напряжение транзистора Т, причем конечное значение коллекторного напряжения UKl ( t f) в конце стадии регенерации является начальной величиной для оценки изменения коллекторного напряжения на стадии восстановления. [22]
 |
Схема измерения SCT импульсным методом в схеме с общим эмиттером. [23] |
В схеме с общей базой величина SCT практически не зависит от величины коллекторного напряжения, так как величина БСТ / ( В Т 1) практически не изменяется при изменении коллекторного напряжения в пределах нескольких процентов. [24]
В конце регенеративной стадии повышается коллекторное напряжение транзистора 74, причем конечное значение коллекторного напряжения C / KI ( P) в конце стадии регенерации является начальной величиной для оценки изменения коллекторного напряжения на стадии восстановления. [25]
Из простого сравнения величин рабочих напряжений на эмиттере и на коллекторе можно сделать вывод, что для того, чтобы изменить заряд в базе на одну и ту же величину, изменение эмиттерного напряжения должно быть значительно меньше изменения коллекторного напряжения. А это значит, что диффузионная емкость коллектора должна быть значительно меньше диффузионной емкости эмиттера. Действительно, в то время как диффузионная емкость эмиттера составляет тысячи и в лучшем случае сотни пикофарад, диффузионная емкость коллектора составляет единицы и даже доли пикофарады. [26]
Реальные выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, не позволяют получить коэффициент использования тока у, равный единице, так как ток коллектора не может стать меньше тока ICEO, при котором наступает отсечка. Изменение коллекторного напряжения ограничивается слева напряжением, при котором наступает насыщение, а справа - абсциссой точки пересечения линии нагрузки с характеристикой обратного тока коллектора. [27]
Изменение коллекторного напряжения вызывает сдвиг входных характеристик: чем больше напряжение мкэ, тем правее проходит входная характеристика. Здесь ток iK / ко б почти не зависит от напряжения икз. [28]
Так как коллекторная область легирована сильнее, чем базовая, то расширение запирающего слоя происходит в основном в направлении базы. Таким образом, изменение коллекторного напряжения вызывает изменение эффективной толщины базы W ( фиг. [29]
Стабильность работы схемы при стабилизированном напряжении U0 всецело определяется стабильностью коэффициента а, а последний наименее подвержен изменениям. Особо следует отметить некритичность величины а к изменению коллекторного напряжения вплоть до потенциала в десятые доли вольта, что обеспечивает достаточную линейность характеристики. В схеме с общей базой исключается какое-либо усиление тока / К0, так что дополнительная погрешность сводится к минимуму. Токи в схеме подчиняются тем же соотношениям, что и в обычном диодном интеграторе при и С U0, однако напряжение на интеграторе может практически достигать напряжения коллекторного питания. При напряжении 10 в и токе полного отклонения микроамперметра в 50 мка сопротивление утечки равно 200 ком, и при конденсаторе емкостью 50 мкф обеспечивается постоянная времени в 10 сек. [30]
Страницы: 1 2 3