Изменение - коллекторное напряжение
Cтраница 3
В схеме кольцевого счетчика 7 - 9 для управления импульсами запуска используются логические элементы и. Конденсаторы ( 730 пкф) служат для временного хранения сигналов и исключают трудности, связанные с согласованием быстродействия сигнала напуска на входе и изменением коллекторного напряжения. Действительно, конденсатор замедляет спад сигнала на транзисторном логическом элементе и этим исключает неправильную передачу. [31]
Задача значительно упростилась, когда стали применяться современные переключающие кристаллические триоды. В случае, если в схеме требуются большие скорости, фиксирующие диоды могут быть использованы для того, чтобы не допустить работу кристаллического триода в области насыщения, а также для ограничения изменения коллекторного напряжения. [32]
Это свидетельствует о том, что входное сопротивление транзистора в активном режиме больше, чем в режиме насыщения. Изменение коллекторного напряжения вызывает сдвиг входных характеристик: чем больше напряжение мкэ, тем правее проходит входная характеристика. Здесь ток ( / ко с почти не зависит от напряжения ыкэ. [33]
 |
Схема ИС типа цА726, имеющей термостатированную подложку. [34] |
Однако термостат обычно представляет собой конструктивно сложный и энергоемкий узел. Фирма Фэйрчайлд ( США) выпускает ИС типа цА726, в которой термостатируется только кремниевая подложка, причем цепь термостатирования содержится в самой ИС. Изменение коллекторного напряжения этого триода через эмиттерный повторитель на транзисторе ТЗ и стабилитрон Д1 передается на базу транзистора Т4 и изменяет его коллекторный ток. В результате изменяется мощность, рассеиваемая в транзисторе Т4, которая и определяет температуру подложки. Температура подложки, которую поддерживает схема терморегулирования, может устанавливаться в пределах 60 - 110 С путем изменения сопротивления резистора RH, Точность поддержания температуры составляет примерно 3 С при изменении внешней температуры от - 50 до 100 С. [35]
 |
Принципиальная схема и диаграмма напряжений симметричного триггера с управлением по двум входам. [36] |
Как известно, сопротивление полностью открытого трлода очень, мало ( единицы омов), а сопротивление полностью закрытого. Поэтому напряжение на коллекторе открытого триода триггера практически равно нулю, а напряжение на коллекторе закрытого триода равно отрицательному напряжению коллекторной батареи - Ек. Происходящее изменение коллекторного напряжения при работе триггера и является выходным сигналом переключающего устройства. [37]
Однако это изменение напряжения также очень мало. После выхода транзистора Т1 из режима насыщения ток в его коллекторе в результате продолжающегося воздействия запирающего тока базы начинает уменьшаться, напряжение на коллекторе получает отрицательное приращение. Через ускоряющий конденсатор С2 это изменение коллекторного напряжения передается на базу Г2, вызывая уменьшение положительного запирающего напряжения. Таким образом, после этапа рассасывания начинается этап подготовки. В течение этого времени транзистор Г2 еще закрыт и готовится к переходу в активный режим. Как и на этапе рассасывания, переходный процесс не является регенеративным; положительная обратная связь между каскадами отсутствует, поскольку запертый транзистор Т2 еще не обладает усилительными свойствами. [38]
Действительно, по назначению резистор RK в цепи коллектора аналогичен анодному резистору Ra в усилителе с анодной нагрузкой: оба они служат для создания выходного напряжения. Если бы сопротивление этих резисторов было равно нулю, то выходное напряжение, равное R & ia ( в ламповом каскаде) или RKiK ( в полупроводниковом каскаде), было бы также равно нулю. Так же, как в ламповом каскаде, изменения тока коллектора вызывают изменение коллекторного напряжения, что приходится учитывать е помощью динамической выходной характеристики. [39]
Источник продольной помехи, соединенный с двумя входными клеммами, вызывает ток во входных проводах. Существует два пути для тока в каждой базовой цепи: один проходит через переход база - эмиттер к земле усилителя, через резисторы эмиттерной цепи и источник тока или петлю обратной связи, другой - через переход база - коллектор, резисторы коллекторной цепи и источник питания коллектора. Этот ток приводит к изменениям эмиттерных и коллекторных напряжений каждого входного транзистора. Если изменения напряжений неодинаковы для дифференциальной пары, то результирующее напряжение будет приложено к последующим каскадам усилителя в виде поперечной помехи, неотличимой от полезного сигнала. Превращение продольной помехи в поперечную является, таким образом, следствием существования различия между путями утечки для синфазного сигнала. [40]
Вторичный температурный эффект ст входного тока второго каскада проявляется в изменении коллекторного напряжения первого каскада. Предположим, например, что усилитель вначале настроен так, что выходное напряжение равно нулю. Если теперь входной ток Iinl второго каскада дрейфует в результате изменения температуры, то коллекторный ток первого каскада должен измениться, поскольку эмиттерный ток стабилизирован источником тока. Изменение коллекторного тока приводит к изменению коллекторного напряжения. Если дрейф обоих тскэв абсолютно одинаков, то коллекторные напряжения изменятся на одну и ту же величину и разностное напряжение, входное по отношению ко второму каскаду, останется неизменным. Поэтому только разность Iinl - 7in2 вызывает уход выходного напряжения. [41]
При выводе (4.34) ширина базовой области транзистора считалась постоянной, что справедливо в том случае, если толщина слоев объемного заряда эмиттерного и коллекторного переходов также постоянна. Это справедливо только для постоянного напряжения на этих переходах. Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, его ширина мала и изменения ее при изменениях напряжения на эмиттере незначительны. Коллекторный переход смещен в обратном направлении, поэтому ширина слоя его объемного заряда относительно велика, а ее изменения при изменении коллекторного напряжения в связи с тем, что слой объемного заряда для рассматриваемой модели транзистора в основном сосредоточен в базовой области, влияют на ширину базовой области, а следовательно, и на ряд параметров транзистора. [42]
При разряде емкостей через базы транзисторов сначала протекают сравнительно большие токи, так что транзисторы находятся в насыщенном состоянии. В промежутке i i - tz ( рис. 1 - 13) производится быстрый разряд конденсаторов и в момент t2 базовый ток транзистора 7, уменьшаясь, достигает значения базового тока насыщения. С некоторой задержкой At 4 - tz, связанной с рассасыванием неосновных носителей в области базы, начиная с момента ts, с уменьшением базового тока начинает уменьшаться и коллекторный ток транзистора. Соответственно начинает постепенно понижаться и его коллекторное напряжение. Изменение коллекторного напряжения через конденсатор С передается на базу Tz, несколько запирая его. В момент 4 рабочие токи обоих транзисторов перемещаются в активную область и коэффициент усиления петли положительной обратной связи ( имеется в виду коэффициент усиления разомкнутой петли), увеличиваясь, становится больше единицы. [43]
Следует упомянуть, что на характеристики транзисторов влияет температура, воздействующая как на амплитуду, так и на частоту колебаний. Во-первых, должны быть выяснены изменения / со с температурой. Если начальное смещение подается только за счет тока отсечки, то генератор при крайних значениях температурного диапазона не будет работать. В работе [6] показано применение некоторых видов стабилизации постоянного тока. Если рабочая точка не стабилизирована, то при изменении эмиттерного и коллекторного напряжения и тока изменятся практически все параметры транзисторов. Даже если рабочая точка стабилизирована, большинство параметров транзисторов изменяется с температурой, хотя и не так быстро, как при отсутствии стабилизации. [44]
В области, расположенной слева от рабочей ( активной), переход коллектор - база смещен в прямом направлении, поэтому вольт-амперные характеристики напоминают характеристики диода в проводящем направлении. Эта область, в которой эмиттерный и коллекторные переходы смещены в прямом направлении, называется областью насыщения. В режиме насыщения ухудшаются частотные свойства транзистора, поэтому в некоторых случаях такой режим бывает нежелателен ( см. гл. Изображенная кривая соответствует напряжению коллектор - база, равному нулю. Величина этого сдвига на единицу изменения коллекторного напряжения при определенном значении тока эмиттера является еще одним важным параметром транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3