Cтраница 1
Изменение внешнего напряжения, приложенного к переходу, приводит к изменению тока через переход. Зависимость между током и напряжением может быть задана аналитически и представлена графически в виде вольтам-пер ной характеристики. [1]
Поэтому изменение внешнего напряжения практически равно изменению потенциала второго электрода относительно неполяризующегося электрода сравнения. [2]
Следовательно, при изменении внешнего напряжения потенциал поляризуемого электрода должен изменяться. [3]
Как было показано, изменение внешнего напряжения, приложенного к p - n - переходу, изменяет значение объемного заряда обедненного слоя. [4]
![]() |
Изменение формы домена с ростом внешнего напряжения.| Колебания тока, протекающего через диод Ганна. [5] |
Во всех случаях при изменении внешнего напряжения изменяется лишь электрическое поле в домене и его ширина. Напряженность электрического поля вне домена, а соответственно и скорость его дрейфа практически не изменяется. [6]
Поэтому высокоэластическая деформация отстает от изменения внешнего напряжения. Процесс перегруппировок сегментов сопровождается преодолением внутреннего трения в полимерах и, следовательно, рассеянием механической энергии. [7]
![]() |
Регулирование режима синхронного компенсатора вручную. [8] |
Самопроизвольное изменение режима синхронного ком-йенсатора при изменении внешнего напряжения и принудительное изменение режима при изменении возбуждения удобно рассматривать на нагрузочной характеристике любого вида. [9]
![]() |
Зависимость тока насыщения МДП-транзистора с каналом я-типа в режиме обогащения от напряжения на затворе при постоянном Vc. [10] |
Наоборот, при большой концентрации поверхностных состояний изменение внешнего напряжения приводит лишь к изменению заряда на поверхностных состояниях и поверхностная проводимость не меняется. [11]
Рассмотрим изменение напряженности поля в резком переходе с изменением внешнего напряжения. [12]
Свойство емкости р-п перехода изменять свою величину при изменении внешнего напряжения связано с наличием объемного заряда в области потенциального барьера р-п перехода. [13]
Свойство емкости р - п-перехода изменять свою величину при изменении внешнего напряжения связано с наличием объемного заряда в области потенциального барьера р - n - перехода. Принцип работы варикапа основан на свойствах барьерной емкости, величина которой в соответствии с выражениями (4.11) - (4.13) равна емкости плоского конденсатора с площадью пластин, равной площади р - - перехода S, и с расстоянием между пластинами, равным ширине L0 области объемного заряда. При увеличении U, приложенного в обратном направлении, происходит расширение области р - n - перехода и уменьшение емкости Сб. Эта емкость имеет относительно высокую добротность при обратном включении диода, малый температурный коэффициент, низкий уровень собственных шумов и не зависит от частоты вплоть до миллиметрового диапазона. [14]
Параметры р и о характеризуют соответственно величину амплитуды и частоту изменения внешнего напряжения. [15]