Изменение - внешнее напряжение
Cтраница 2
В поле высокой частоты максимумы токов наступают дважды за один период изменения внешнего напряжения. Следовательно, среднее значение переменного тока будет гораздо больше, чем при постоянном токе, при котором максимум наступает только 1 раз после включения. [16]
Поэтому напряженность электрического поля в объеме полупроводника практически равна нулю и размеры обедненной области не изменяются при изменении внешнего напряжения. [17]
В работе [289] сделан важный вывод, что тот факт, что одни и те же кристаллы мартенситной фазы могут менять свои размеры как при изменении температуры, так и при изменении внешних напряжений, не изменяя ориентировки межфазной границы, говорит о том, что эти два явления имеют один и тот же атомный механизм. Таким механизмом, как это теперь очевидно, является перемещение дислокаций превращения либо под действием внешних упругих напряжений аа, либо под действием термодинамических напряжений пт вдоль границ сопряжения фаз. [19]
При подаче постоянного напряжения вследствие образования полимерной пленки ток, и соответственно плотность тока, уменьшаются во времени. Путем изменения внешнего напряжения можно регулировать плотность тока и, следовательно, скорость генерирования активных частиц, поддерживая их концентрацию постоянной или меняя ее по определенному закону. Это позволяет регулировать как мол. [20]
 |
Структура ( а и эквива - Если межДУ полупроводником И. [21] |
Это приведет к изменению поверхностной емкости, так как для нее характерна зависимость от приложенного напряжения. При изменении внешнего напряжения на 2 - 3 В емкость Са изменяется в пять-шесть раз. [22]
Как следует из рис. 110, такие диоды внутри определенного интервала изменений внешнего напряжения ( например, 300 мв) в обратном направлении проводят лучше, чем в прямом. Преимущество такого обращенного диода состоит в том, что ток и обратном направлении возрастает гораздо быстрее, чем у обычных диодов в прямом. [23]
Это позволяет рассматривать р - - переход как своеобразный плоский конденсатор, емкость которого зависит от ширины р - - перехода. Так как ширина перехода меняется при изменении приложенного к нему внешнего напряжения, то изменение внешнего напряжения эквивалентно изменению емкости. Это свойство р - - перехода позволяет использовать полупроводниковый диод не только в качестве вентиля, но и в качестве прибора с электрически управляемой емкостью - варикапа. [24]
Наиболее удобным методом создания неравновесных условий в полупроводниковой подложке структуры МДП является приложение к полевому электроду внешнего электрического поля, истощающего приповерхностную ОПЗ на основные носители тока. В этих условиях задача определения характеристических параметров генерационного процесса сводится к установлению взаимосвязи между параметрами неравновесной ОПЗ, величиной и законом изменения внешнего напряжения, а также фундаментальными характеристиками физических явлений, ответственных за генерацию неравновесных носителей заряда. [25]
Носители, находящиеся на поверхностных уровнях, не участвуют в проводимости, поэтому к изменению поверхностной проводимости приводит лишь изменение заряда в приповерхностной области полупроводника. Очевидно, чем меньше концентрация поверхностных состояний, тем больше меняется заряд в приповерхностной области, а соответственно и поверхностная проводимость при изменении внешнего напряжения. Наоборот, при большой концентрации поверхностных состояний изменение внешнего напряжения приводит лишь к изменению заряда на поверхностных состояниях. [26]
Обычным методом получения невыпрямляющего контакта является использование системы: металл - п - п или металл - р - р, где под п и р понимается тонкий слой полупроводника с высокой концентрацией легирующих примесей. На границе между двумя полупроводниками одного типа проводимости не возникает обедненного слоя и поэтому нет потенциальных барьеров, высота которых изменялась бы с изменением внешнего напряжения. [27]
Это приведет к изменению поверхностной емкости, так как для нее характерна зависимость от приложенного напряжения. При изменении внешнего напряжения на 2 - 3 В емкость Cs изменяется в 5 - 6 раз. [28]
Носители, находящиеся на поверхностных уровнях, не участвуют в проводимости, поэтому к изменению поверхностной проводимости приводит лишь изменение заряда в приповерхностной области полупроводника. Очевидно, чем меньше концентрация поверхностных состояний, тем больше меняется заряд в приповерхностной области, а соответственно и поверхностная проводимость при изменении внешнего напряжения. Наоборот, при большой концентрации поверхностных состояний изменение внешнего напряжения приводит лишь к изменению заряда на поверхностных состояниях. [29]
Если внешнее напряжение таково, что оно уменьшает величину потенциального барьера в р-п переходе ( к вбласти р подключен положительный полюс источника), то величина диффузионного тока основных носителей заряда резко возрастает. При отрицательном потенциале на полупроводнике типа р увеличивается высота потенциального барьера, диффузионный ток также резко падает. Величина тока неосновных носителей заряда меняется незначительно с изменением внешнего напряжения. [30]
Страницы: 1 2 3