Стирание - записанная информация
Cтраница 1
Стирание записанной информации достигается понижением напряжения коллектора до потенциала катода и медленным ( экспоненциальным) повышением напряжения коллектора до прежнего уровня. [1]
 |
Временные диаграммы записи и считывания биполярным способом.| Временные диаграммы записи по двум уровням. [2] |
Стирание записанной информации производится намагничиванием ферромагнитного материала до насыщения в каком-либо направлении. [3]
Стирание записанной информации осуществляется следующим путем: аморфная пленка нагревается до температуры размягчения, но не до такой высокой температуры, как при записи; размягченная аморфная пленка течет обратно в пустоты пузырьков и записанная информация стирается. [4]
 |
Механизмы магнитооптической записи. [5] |
Стирание записанной информации обычно осуществляется путем нагрева материала, в результате чего восстанавливается начальная магнитная структура материала. Иногда для создания однородной магнитной структуры во время или после стирания на пленку накладывается внешнее магнитное поле. [6]
Стирание записанной информации электрическим полем осуществляется при равномерной засветке структуры активирующим излучением. [7]
ВТ ], но затрудняет стирание записанной информации. [8]
Аналогичные процессы происходят в схеме при стирании записанной информации после нажатия кнопки Сброс. [9]
 |
Зависимость изменения относительной дифракционной эффективности г / т й от числа циклов запись-стирание ( N для пленок. 1 - As2Se3. 2 - AsSe. 3 - AsSe - I. [10] |
В способах оптической записи в аморфных полупроводниках стирание записанной информации во всех случаях связано с нагревом материала. Нагрев приводит к равномерной аморфизации вещества ( устранение кристаллизованных участков, пустот, обратный переход в изначальное состояние) или, наоборот, кристаллизации аморфизированных при записи участков. [11]
Повышение коэрцитивной силы уменьшает эффект саморазмагничивания, но затрудняет стирание записанной информации. [12]
Считывание записанной информации в маг-нитопроводы АЗУ может производиться либо однократно со стиранием записанной информации, либо многократно без разрушения информации. [14]
С другой стороны, температура фазового перехода ( температуры компенсации, Кюри или Нееля, см. табл. 6.2) не должна быть слишком высока, что позволяет быстро реализовать нагрев и охлаждение, а также стирание записанной информации лазерным лучом. [15]
Страницы: 1 2