Cтраница 2
Микросхемы представляют собой электрически стираемое РПЗУ емкостью 64 кбит с организацией 8 к х 8 для КМ1609РРЗ, 32 кбит с организацией 4кх8 для КМ1609РР31, КМ1609РР32 и предназначены для ЭВМ ( в том числе бортовых) и систем промышленной автоматики и связи с корректируемым в процессе работы содержанием памяти программ. В схеме обеспечивается возможность побайтового и общего стирания записанной информации. [16]
В запоминающих устройствах широко применяются также полупроводниковые запоминающие ячейки благодаря малым размерам элементов, высокому быстродействию и надежности. Однако существенным недостатком их является стирание записанной информации при снятии питания. [17]
![]() |
Временные диаграммы сигналов при записи информации в ПЛ. [18] |
Перепрограммируемые ПЗУ обладают всеми достоинствами ПЗУ, храня записанную в них информацию неопределенно долго и при отключенном питании. В то же время они допускают стирание записанной информации и запись новой информации. Однако если чтение осуществляется за доли микросекунды, то запись требует на много порядков большего времени. [19]
Для порошковых покрытий желательно, чтобы это отношение было не менее 0 5 э / гс. Повышение коэрцитивной силы уменьшает эффект саморазмагничивания, особенно заметный на высоких частотах, но затрудняет стирание записанной информации. Увеличивать же отношение НС1ВГ за счет уменьшения остаточной индукции Вг невыгодно, так как это ведет к уменьшению уровня полезных сигналов при считывании информации. [20]
Функционально Flash-память мало отличается от EEPROM. Основное различие состоит в способе стирания записанной информации. В памяти EEPROM стирание производится отдельно для каждой ячейки, а во Flash-памяти стирать можно только целыми блоками. Если необходимо изменить содержимое одной ячейки Flash-памяти, потребуется перепрограммировать весь блок. Упрощение декодирующих схем по сравнению с EEPROM привело к тому, что МК с Flash-памятью становятся конкурентоспособными по отношению не только к МК с однократно программируемыми ПЗУ, но и с масочными ПЗУ также. [21]
Такой раствор образует отвердевшую жидкость, которая тонким слоем может быть нанесена на бумагу или другой материал. Частицы красителя, заключенные в желатине, образуют капсулы диаметром 0 003 мм, каждая из которых может запоминать нули или единицы. Под действием синего света капсулы окрашиваются в синий цвет, что соответствует записи единицы; под действием желтого света капсулы обесцвечиваются, что соответствует стиранию записанной информации. [22]
На рис. 8.19 показаны конструкции двух электронно-лучевых трубок с электрооптическим кристаллом в качестве мишени - ПВМС типа титус. В приборе, конструкция которого показана на рис. 8.19, а, управляющий электрический сигнал подается на электрод, с помощью которого модулируется ток электронного луча, производящего запись изображения. При этом коэффициент вторичной эмиссии кристалла ДКДР меньше единицы, и, следовательно, поверхность кристалла заряжается отрицательно. Стирание записанной информации производится с помощью специального источника электронов, которым вся поверхность кристалла облучается одновременно и равномерно. В; при таких энергиях электронов коэффициент вторичной эмиссии больше единицы, и поверхность кристалла, теряя электроны, заряжается положительно. [23]
Запись стирается менее интенсивным лазерным импульсом. Температура в материале, окружающем пустотную камеру, поднимается выше температуры размягчения стекла. Вязкость стекла уменьшается, поверхностное натяжение изменяется, а давление пара остается пренебрежимо малым, так как энергия импульса подбирается таким образом, чтобы температура материала не намного превышала температуру размягчения. В результате происходит коллапс ( схлопывание) пустотной камеры и соответственно стирание записанной информации. Изменение вязкостно-эластических свойств, происходящее в процессе образования пустотных камер, и термо-механическая стабильность пустот объясняются авторами полимеризацией, индуцированной лазерным лучом. [25]
![]() |
Организация ПЗУ с числовой выборкой.| Организация ПЗУ с поразрядной выборкой. [26] |
Такие транзисторы имеют гистерезисные свойства и управляются подачей на затвор напряжений положительной или отрицательной полярности. ППЗУ с электрической записью и неэлектрическим стиранием реализуются на МДП транзисторах с плавающим затвором. Такие транзисторы имеют затворы, не имеющие внешнего вывода и изолированные от всей схемы. Запись информации в такие схемы производится под действием достаточно большого напряжения, приложенного к переходу стока или истока, и инициации инжскции электронов в изолированный затвор. Стирание записанной информации осуществляется с помощью рентгеновского или ультрафиолетового облучения в зависимости от типа корпуса. [27]