Стойкость - тиристор
Cтраница 1
 |
Зависимость di / dt - стойкости тиристора от амплитуды импульса тока управляющего электрода.| Зависимость анодного напряжения от времени при различных токах / с. [1] |
Стойкость тиристоров к эффекту di / dt повышается с ростом площади начальной включенной области. Это связано с соответствующим уменьшением при прочих равных условиях удельной мощности потерь во включенной области тиристора. [2]
 |
Характер изменения мгновенной мощности при включении ( dUfdt40 а / мксек. [3] |
Стойкость тиристоров к di / dt существенно зависит от параметров импульса управления, температуры и величины анодного напряжения на тиристоре перед его включением. [4]
При определении стойкости данного тиристора к заданной скорости нарастания анодного тока производят сравнение основных параметров тиристора ( 7ут, t / nep и / обр) до и после испытаний. [5]
При активной нагрузке стойкость тиристора к эффекту di / dl определяется самим прибором, т.е. конструкцией его электрода управления и способностью включаться как можно на большей площади. В таком режиме ток нарастает быстро, и при включении может быть выделена большая мощность. В практике применения импульсных тиристоров часто встречаются отказы, вызванные локализацией тока в одной точке и в результате приводящие к тепловому, пробою. Для исключения такого вида отказов в конструкции импульсных тиристоров применяются разветвленные электроды управления и сложные ( двух - и трехступенчатые) механизмы управления. [7]
Повышения dz / d - стойкости тиристоров, как было показано в § 10.1, можно добиться путем применения разветвленных управляющих электродов. Одновременно с повышением di / dt - стоикостн уменьшаются времена включения тиристоров. Однако при этом уменьшается активная площадь структур тиристоров, вследствие чего при прочих равных условиях возрастают импульсные напряжения в открытом состоянии и снижаются ударные неповторяющиеся токи в открытом состоянии. [8]
Следует отметить, что rff / Л - стойкость тиристоров с регенеративным управлением по току существенно возрастает только в том случае, если статический ток управляющего электрода ОТ больше тока ВТ. Только при этом условии первым включается ВТ и его ток равномерно включает ОТ вдоль всей границы катодного слоя. [9]
В § 10.1 будут рассмотрены различные конструктивные способы повышения di / dt - стойкости тиристоров. Остановимся коротко на некоторых способах исследования локализации тока при включении тиристоров током управляющего электрода. [10]
 |
К расчету постоянной времени нарастания тн тока в открытом состоянии тиристора.| К расчету эквивалентного сопротивления технологической шунтиров-ки перехода / з тиристора. [11] |
Истинное значение / ш следует выбирать несколько меньше расчетного, что обеспечит определенный запас по йи / Л - стойкости тиристора. [12]
Во втором томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры быстродействующих тиристоров, их классификация, условные графические обозначения и обозначение электрических параметров, общие сведения по стойкости тиристоров к эксплуатационным воздействиям и рекомендации при использовании их в аппаратуре. Приведены также силовые полупроводниковые модули и охладители воздушных систем охлаждения для тиристоров. [13]
 |
Расчетные зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и критического заряда включения тиристора от сопротивления шунтировки перехода / з. [14] |
Чем больше времена жизни неосновных носителей и меньше толщины базовых слоев, тем больше коэффициенты переноса неосновных носителей через эти слои и меньше критический заряд включения, а следовательно, ниже с / м / е - стойкость тиристора. [15]
Страницы: 1 2