Стойкость - тиристор
Cтраница 2
Однако из-за роста критического заряда включения с повышением эффективности технологической шунтировки при прочих равных условиях возрастают времена включения ( и времена задержки), увеличиваются импульсные напряжения в открытом состоянии, уменьшаются ударные неповторяющиеся токи в открытом состоянии, падает di / dt - стойкость тиристоров, уменьшаются времена выключения тиристоров, возрастают отпирающие и неотпирающие токи и напряжения управления. [16]
Рекомбинация неравновесных носителей в слоях объемного заряда прямосмещенных эмиттерных переходов приводит к снижению коэффициентов инжекции и тем самым к увеличению критического заряда включения тиристора. Поэтому du / dtf - стойкость тиристоров возрастает с повышением рекомбинации неравновесных носителей в слоях объемного заряда эмиттерных переходов. [17]
 |
Зависимости критического и вносимого зарядов от напряжения в закрытом состоянии.| Распределение дырок в базе п тиристора в различные моменты времени. [18] |
С ростом анодного напряжения коэффициенты переноса неосновных носителей через базовые слои увеличиваются в результате уменьшения эффективных толщин этих слоев. Учет этого обстоятельства чрезвычайно усложняет расчет du / tW - стойкости тиристоров. [19]
Страницы: 1 2