Изменение - подвижность - носитель - заряд
Cтраница 1
Изменение подвижности носителей зарядов в сплаве InSb - NiSb при его легировании предопределяет характер температурного коэффициента сопротивления. Материалы, имеющие большее магниторезистивное отношение, обладают худшими температурными характеристиками. Последнее иллюстрируется кривыми на рис. 2.18, где дано относительное изменение сопротивления сплава с разными значениями о от температуры; параметром здесь является магнитная индукция. [1]
 |
Зависимости Цкакс, оптимального напряжения питания и отношения токов от подвижности ii при tioL5 1012 см-2. [2] |
При изменении подвижности носителей зарядов меняется отношение токов k, что приводит к изменению и величины т ] макс. [3]
Приложенное внешнее напряжение вызывает изменение подвижности носителей заряда. Скорость электронов на длине свободного пробега возрастает, соответственно возрастает и подвижность. [4]
 |
Зависимость квантового выхода Ys Ge от энергии фотонов. [5] |
Внутризонная фотопроводимость связана с изменением подвижности носителей заряда при их перераспределении по энергетич. Рассеяние носителей заряда в твердом теле); прямые оптич. [6]
Температура влияет на параметры полупроводниковых приборов и в связи с изменением подвижности носителей заряда. [7]
При воздействии на канал магнитного поля изменяется его электрическое сопротивление вследствие изменения подвижности носителей заряда, их средней концентрации и изменения соотношения размеров проводящего канала. [8]
Магниторезисторы представляют собой гальваномагнитные преобразователи ( ГМП), изменение сопротивления которых обусловлено изменением подвижности носителей заряда. Под действием магнитного поля траектории носителей искривляются, вследствие чего скорость их движения в направлении электрического поля уменьшается. [9]
 |
К расчету сигнала элек тронозахватного детектора. [10] |
При постоянном напряжении U, приложенном к электродам детектора, устанавливается некоторое распределение напряженности поля, которое может изменяться при изменении подвижности носителей зарядов. [11]
Высокий Т КС диффузионных резисторов обусловлен температурной зависимостью концентраций примеси, что, в свою очередь ( при полной ионизации примеси), определяется изменением подвижности носителя заряда от температуры; TKJC зависит от изменения концентрации примесей тем больше, чем выше сопротивление слоя. [12]
При изменении характера химической связи в первую очередь изменяется концентрация носителей заряда и следовательно, меняется и электропроводность. Структурные изменения сопровождаются изменениями подвижности носителей заряда, а также отражаются на электропроводности. Следовательно, электропроводность является также и структурно чувствительной характеристикой. При изучении электропроводности металлов уже давно было отмечено, что при плавлении она уменьшается примерно в 2 раза. В дальнейшем Перлитц [54] связал характер изменений электропроводности при плавлении металлов с их структурой в твердом состоянии и сформулировал правило, согласно которому у металлов с плотной упаковкой электропроводность растет вдвое при плавлении, у металлов с кубической объемноцентрированной решеткой - в 1 5 раза, а у полуметаллов - в 0 5 раза. [13]
 |
Зависимости р сплавов системы Mg-Zn от состава ( в атомных процентах. [14] |
Кривая имеет максимум, соответствующий некоторому соотношению содержаний компонентов в сплаве; при уменьшении содержания из них р падает, приближаясь к соответствующим значениям р чистых металлов. Это объясняется тем, что у сплавов изменение р вызывается не только изменением подвижности носителей заряда, но в некоторых случаях и возрастанием концентрации носителей при повышении температуры. [15]
Страницы: 1 2