Изменение - подвижность - носитель - заряд
Cтраница 2
Из-за сильного взаимодействия носителей заряда с ионами подвижность носителей в окисном полупроводнике оказывается довольно низкой и экспоненциально возрастающей с ростом температуры. В результате зависимость сопротивления окисного полупроводника от температуры такая же, как и у ковалентных полупроводников (8.1), но коэффициент температурной чувствительности характеризует в этом случае изменение подвижности носителей заряда, а не изменение их концентрации. [16]
Из-за сильного взаимодействия носителей заряда с ионами подвижность носителей заряда в окисном полупроводнике оказывается малой и экспоненциально возрастающей с ростом температуры. В результате температурная зависимость сопротивления термистора из окисного полупроводника оказывается такой же, как и у термисторов из ковалентных полупроводников ( рис. 11.1), но коэффициент температурной чувствительности характеризует в этом случае изменение подвижности носителей заряда, а не изменение их концентрации. [17]
 |
Зонная структура [ IMAGE ] Зависимость плот. [18] |
Этот эффект Ганна наблюдали позднее в фосфиде галлия, фосфиде индия и ряде других полупроводников. Он тоже связан с изменением подвижности носителей заряда в сильных полях. Однако механизм изменения ц, отличен от рассмотренного выше. Многие полупроводники, в частности арсенид галлия, имеют достаточно сложную зонную структуру. [19]
Различия в характере движения ионов и электронов определяют различия в их подвижностях. Экспериментальные исследования направленного движения ионов и электронов в газе показывают, что подвижность электронов превышает подвижность ионов на четыре порядка и более. Поэтому, когда электроноакцепторные соединения захватывают электроны в газовом разряде, изменение подвижности носителей заряда существенным образом влияет на ток разряда. Изменения подвижности носителей заряда влияют на их концентрацию. [20]
Различия в характере движения ионов и электронов определяют различия в их подвижностях. Экспериментальные исследования направленного движения ионов и электронов в газе показывают, что подвижность электронов превышает подвижность ионов на четыре порядка и более. Поэтому, когда электроноакцепторные соединения захватывают электроны в газовом разряде, изменение подвижности носителей заряда существенным образом влияет на ток разряда. Изменения подвижности носителей заряда влияют на их концентрацию. [21]
Согласно ( 1 - 22), величина UT увеличирается с ростом отношения Wn / L экспоненциально и не зависит от сопротивления исходного кремния и плотности тока. Независимость Ut от р и / обусловлена тем, что база модулируется введенными носителями и ее сопротивление обратно пропорционально плотности тока. Однако при больших плотностях тока, как показывают экспериментальные исследования ( см., например, [93]), зависимость между t / T и / существует. Расхождение между теоретическими и экспериментальными результатами возникло из-за того, что при расчетах не учитывались такие существенные факторы, как изменение коэффициентов инжекции переходов j и / з с ростом плотности тока, и изменение подвижности носителей заряда за счет электронно-дырочного взаимодействия. В работе [93] при численном расчете вольт-амперной характеристики структуры была сделана попытка учесть эти факторы, однако было принято ошибочное предположение об уменьшении коэффициента диффузии с ростом концентрации свободных носителей выше некоторого критического уровня. [22]
Страницы: 1 2