Стремление - атом
Cтраница 1
Стремление атомов ( ионов) металла расположиться возможно ближе друг к другу, плотнее1, приводит к тому, что число встречающихся комбинаций взаимного расположения атомов металла в кристаллах невелико. [1]
Стремление атомов внутри молекулы притягивать электроны называют электроотрицательностью. Различная электроотрицательность атомов, входящих в соединение, ведет к образованию1 дипольных молекул. [2]
Стремление атома к построению стабильной внешней оболочки из 8 электронов называется правилом октета. Приведенные соображения по поводу ковалентных связей и валентности элементов были впервые ясно сформулированы Льюисом, и распределение электронов в молекулах может быть наглядно представлено точечными диаграммами, или диаграммами Льюиса. При этом электроны изображают в виде точек ( одна или две точки) в зависимости от того, какую ор-биталь они занимают: наполовину заполненную или полностью заполненную. Электронные пары подразделяются на связывающие, если они локализованы между двумя ядрами, и несвязывающие, или неподеленные, если они принадлежат только одному ядру. Образование ковалентной связи, удерживающей два ядра, обусловлено электростатическим притяжением электронной пары к ядрам, между кото-торыми она расположена. [3]
Стремление атомов перестроить свои внешние электронные слои, чтобы число электронов было доведено до октета, приводит к образованию молекул. [4]
 |
Схема гальванического элемента. [5] |
Стремление атома к переходу в состояние иона создает скачок потенциала на границе раздела, причем кристалл металла будет получать некоторый отрицательный потенциал, зависящий от природы металла и электролита, который и будет уравновешивать переход положительных ионов металла в электролит. Таким образом, на поверхности металла создается двойной электрический слой. [6]
Стремление атомов ( ионов) металла расположиться возможно ближе друг к другу, плотнее ( почему металлы и обладают более высоким удельным весом, чем неметаллы), приводит к тому, что число встречающихся комбинаций взаимного расположения атомов металла в кристаллах еще уменьшается. [7]
Стремление атомов ( ионов) металла расположиться возможно ближе друг к другу, плотнее ( почему металлы и обладают более, высоким удельным весом, чем неметаллы) приводит к тому, что число встречающихся комбинаций взаимного расположения атомов металла в кристаллах еще уменьшается. [8]
Стремление атомов Си образовывать с серой треугольную координационную сферу является характерным и для других сульфидов меди. [9]
 |
Схема образования молекулы с ионной связью. [10] |
Стремлением атомов иметь в молекулах устойчивую внешнюю восьмиэлектронную ( реже двухэлектронную) оболочку можно также объяснить образование ковалентной и полярной связей. [11]
Однако стремление атомов иметь устойчивую электронную оболочку, имитирующую электронную оболочку ближайшего к ним инертного газа, можно проследить и на таких молекулах, атомы которых электрически нейтральны. [12]
 |
Электроотрицательность элементов ( по Полингу. 3. [13] |
Электроотрицательность характеризует стремление атома к присоединению электронов при образовании химической связи. Трудность применения такого способа нахождения х состоит в том, что сродство к электрону точно определено лщиь для немногих атомов. [14]
 |
Строение кристалла алмаза.| Слоистая решетка графита. [15] |
Страницы: 1 2 3 4