Стремление - вещество - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
В мире все меньше того, что невозможно купить, и все больше того, что невозможно продать. Законы Мерфи (еще...)

Стремление - вещество

Cтраница 1


Стремление вещества, например какой-либо соли, переходить в растворенное состояние называется упругостью растворения. Соль растворяется в воде до тех пор, пока не будет достигнуто равновесие между ее осмотическим давлением и упругостью растворения. Если, например, поместить в воду кристаллы сернокислого цинка, то последние будут растворяться, пока раствор не сделается насыщенным при данной температуре; при этом устанавливается равновесие между растворенными молекулами и молекулами твердого сернокислого цинка. Кристаллы сернокислого цинка, в силу свойственной им упругости растворения, переходят в. Таким образом, осмотическое давление раствора сернокислого цинка оказывает противодействие упругости растворения кристаллов. При слабых растворах упругость растворения превышает величину осмотического давления, и происходит растворение соли. В насыщенных растворах осмотическое давление уравновешено упругостью растворения, а в пересыщенных растворах величина осмотического давления больше упругости растворения, и часть вещества выпадает из раствора.  [1]

2 Коэффициенты растекания на поде при 20 ( по Гаркинсу. [2]

Стремление вещества к растеканию не ограничивается образованием насыщенного, сплошного монослоя, но при наличии свободной поверхности может продолжаться до образования все более разбавленных слоек, вплоть до газового состояния пленки, подобного газовому состоянию адсорбционного слоя при очень низких концентрациях. Подобно тому, как обычный трехмерный газ стремится к неограниченному расширению, оказывая давление на ограничивающую поверхность, так и двухмерная пленка в своем стремлении к расширению оказывает боковое давление на ограничивающую линию. Это давление, как и поверхностное натяжение, измеряется в дин / см. В уравнении ( XV, 7) величина понижения поверхностного натяжения Да играет роль бокового давления, с которым она по существу идентична.  [3]

Стремление вещества переходить в раствор в виде ионов измеряется электролитической упругостью растворения Р, которая и является причиной возникновения разности потенциалов в месте соприкосновения металла с электролитом. Переходу ионов в раствор отвечает обратный процесс выделения ионов из раствора, всегда протекающий одновременно. Скорость этого обратного процесса зависит от концентрации данных ионов в растворе, от их осмотического давления.  [4]

Стремление вещества к растеканию не ограничивается образованием насыщенного, сплошного монослоя, но при наличии свободной поверхности может продолжаться до образования все более разбавленных слоев, вплоть до газового состояния пленки, подобного газовому состоянию адсорбционного слоя при очень низких концентрациях ( стр.  [5]

Диффузией называется стремление вещества равномерно распределяться по всему предоставленному ему объему.  [6]

Химическое сродство как стремление веществ к взаимодействию - терминология, восходящая к алхимии и дошедшая до наших дней.  [7]

Какая величина характеризует стремление веществ вступать в химические реакции. При ответе на этот вопрос следует иметь в виду, что в действительности возможны лишь те реакции, которые протекают самопроизвольно. Любая самопроизвольная реакция может служить источником работы. Эта работа характеризует тенденцию реакции к самопроизвольному протеканию и выход продуктов. Стремление данной реакции к самопроизвольному протеканию определяется химическим сродством реагирующих веществ друг к другу. Как уже отмечалось выше, мерой химического сродства является максимальная работа, которую данный процесс мог бы совершить. Таким образом, мерой химического сродства является убыль энергии Гиббса.  [8]

Химическое сродстве как стремление веществ к взаимодействию - термин, восходящий к алхимии и дошедший до наших дней.  [9]

10 Зависимость температур кипения инертных газов, аналогов метана и галогенов от массы их частиц. [10]

Способность к диффузии объясняет стремление веществ к взаимному смешению, что проявляется в самых различных природных и искусственных процессах - испарении, растворении, осмосе, клее-нии и пр.  [11]

Способность к диффузии объясняет стремление веществ к взаимному смещению, что проявляется в самых различных природных и искусственных процессах - испарении, растворении, осмосе, клеении и пр.  [12]

Способность к диффузии объясняет стремление веществ к взаимному смешению, что проявляется в самых различных природных и искусственных процессах - испарении, растворении, осмосе, клеении и пр.  [13]

Окислительно-восстановительный потенциал является мерой стремления вещества принимать или отдавать электроны. Иначе говоря, он является количественной мерой свободной энергии окисления вещества. Очевидно, чтобы получить потенциал, установившийся на инертном электроде, должен происходить перенос электронов; для некоторых реакций, не имеющих такого переноса, существуют особые приемы, с помощью которых получают кажущийся потенциал.  [14]

Летучесть v является мерилом стремления вещества переходить в паровую фазу. Для чистых веществ показателем их летучести является давление пара при данной температуре или точка кипения при атмосферном давлении. В растворе стремление вещества к испарению может быть изменено благодаря присутствию другого компонента.  [15]



Страницы:      1    2    3