Изменение - проводимость
Cтраница 1
Изменение проводимости статических ЭА, в свою очередь, дает возможность управлять потоками электрической энергии. [1]
Изменение проводимости в приповерхностном слое при адсорбции может быть различным в зависимости от направления перехода электронов, которое в свою очередь зависит от характера полупроводника и адсорбируемого вещества. [2]
 |
Зависимость ионной проводимости некоторых галогенидов щелочных металлов от температуры. [3] |
Изменение проводимости с температурой в этом случае обусловлено исключительно влиянием температуры на подвижность дефектов. [4]
Изменение проводимости при легировании вообще-то прием известный. Но ни в одном классическом полупроводнике он не проявляется настолько ярко, что это видно даже на глаз. Здесь же при легировании черная пленка полиацетилена приобретает золотистый цвет с характерным металлическим отливом, а ее проводимость возрастает в 1012 раз. [5]
Изменение проводимости, определяемое соотношением ( 280), в точности компенсируется при вычислении сопротивления изменением длины проволоки и ее севднйя А вследствие лорепцева сокращения. [6]
 |
Фотосопротивление. а - устройство, б - световая характеристика. [7] |
Изменение проводимости в полупроводниках под воздействием света может быть очень большим. [8]
Изменения проводимости в полупроводниковых элементах обусловлены прежде всего изменением концентрации электронов в зоне проводимости ( или дырок в валентной зоне) в результате обмена зарядами с адсорбированными частицами газовой фазы. Именно поэтому материалы на основе полупроводниковых элементов представляют интерес для изготовления на их основе газочувствительных элементов. [9]
Изменение проводимости вблизи стенок связано, во-первых, с изменением концентрации носителей в диффузной части двойного слоя, по сравнению с их концентрацией в жидкости, и, во-вторых, с тем, что при прохождении тока сам р-р движется, причем вместе с жидкостью перемещаются и заряды обкладки двойного слоя. Указанное явление изменения проводимости иногда выделяют в отдельный электрокпне-тич. [10]
 |
Полевой транзистор. а - схема включения. б, в, г, ., е - размещение зарядов при разных напряжениях.| Выходные характеристики полевого транзистора. [11] |
Изменение проводимости этого полупроводника ( канала) под действием напряжения, приложенного к затвору, лежит в основе действия транзистора этого типа. [12]
Изменение проводимости и емкости канала можно понять, предположив, что значение ys на поверхности постоянно и определяется окружающей средой и степенью окисления поверхности. [13]
Изменение проводимости при увеличении рк имеет три стадии: на первой стадии происходит начальное контактирование, на второй стадии перекрываются каналы от шероховатостей, на третьей стадии происходит некоторое уменьшение путей утечки от случайных дефектов. [14]
Изменение проводимости осуществляется контактом контактора. Если объект включен, то проводимость цепи линия реле О - контакт К велика. Поэтому реле PC на пульте, включенное между шиной минус и линией, сработает и своими контактами включит сигнальную лампу. При отключенном объекте проводимость линии будет мала, так как контакт К в цепи реле О разомкнут и реле PC на пульте не сработает. [15]
Страницы: 1 2 3 4