Изменение - проводимость
Cтраница 2
Изменение проводимости во времени может быть также объяснено р - гс-переходом. Найденный на опыте минимум электропроводности может найти объяснение во временной собственной проводимости вследствие р - тг-перехода. [16]
Изменение проводимости нагнета-лее ясно из фиг. [17]
Изменение проводимости полупроводника в приповерхностной области под действием внешнего электрического поля, приложенного по нормали к поверхности образца, называется эффектом поля. [18]
Изменение проводимости нагрузки изменяет напряжение на зажимах источника тока, но не меняет его ток. [19]
Изменение проводимости натрия происходит благодаря процессам активации и дезактивации, которые описываются двумя вспомогательными переменными: т, описывающей активацию натриевого канала, и h, учитывающей его дезактивацию. [20]
Изменение проводимости растворов при титровании до точки эквивалентности зависит от сравнительной подвижности осаждаемых анионов и заменяющих их в растворе МОз-ионов. [21]
Изменение проводимости приповерхностного слоя под действием внешнего поля называют эффектом поля, а сам обогащенный слой - каналом. Поскольку канал характерен большой концентрацией электронов или дырок, можно сказать, что эффект поля в собственном полупроводнике приводит к образованию тонких искусственных слоев с проводимостью п - или р-типа. Такие искусственные слои играют важную роль в полупроводниковой технике. В частности, они находят применение в МДП транзисторах ( см. гл. [22]
 |
Частотная зависимость проводимости и сопротивления двухполюсника. [23] |
Изменение проводимости двухэлементного двухполюсника ( рис. 7.56) при изменении частоты от 0 до с приведено на рис. 7.7 а. [24]
Изменение проводимости приповерхностного слоя под действием внешнего поля называют эффектом поля, а сам обогащенный слой - каналом. Поскольку канал характерен большой концентрацией электронов или дырок, можно сказать, что эффект поля в собственном полупроводнике приводит к образованию тонких искусственных слоев с проводимостью п - или р-типа. [25]
Изменение проводимости неоднородной среды, связанное с пропусканием через нее электрического тока / / Численные методы решения задач фильтрации многофазной несжимаемой жидкости: Сб. [26]
 |
Возникновение Фундируют в неосвещен.| Фотогальваномагнитный эффект. ab - ширина освещенной части ПП. эс и у - координаты. [27] |
Это изменение проводимости может значительно превышать а в случае низких темп-р или ПП с широкой запрещенной зоной. Величины Дге и Др после первоначального периода установления ( от начала освещения) принимают иост. [28]
Для изменения проводимости между коммутируемыми входом и выходом коммутационной системы узла последняя должна иметь коммутационные элементы, которые обеспечивают замкнутое ( проводящее) или разомкнутое ( непроводящее) состояние участка тракта передачи, проходящего через данный узел. Воздействие на коммутационный элемент производится из управляющего устройства УУ, которое предварительно выбирает этот элемент и определяет возможность использования его для соединения. [29]
Обнаружено изменение проводимости, которое приписывается дефекту акцепторного типа, характеризуемого коэффициентом диффузии D 4 10 - см2 / с. Таким дефектом может быть вакансия кадмия. [30]
Страницы: 1 2 3 4