Изменение - удельная проводимость
Cтраница 1
Изменение удельной проводимости 8о асв называется световой проводимостью, или фотопроводимостью. [1]
 |
Спектры фоторезистивного эффекта в области собственного поглощения. [2] |
Изменение удельной проводимости 6сг сгсв называется световой проводимостью, или фотопроводимостью. [3]
На рис. 8 - 15 показано изменение удельной проводимости германия от температуры при различном содержании примеси мышьяка. Из рисунка видны области температур, в которых проявляются собственная и примесная составляющие электропроводности германия. Кроме того, видно, что при большом содержании примесей ( кривая 6) получается вырожденный полупроводник. [4]
Работа электрических гигрометров обычно основана на изменении удельной проводимости специальных абсорбирующих солей ( например, хлористого лития) или на изменении емкости электрического элемента в зависимости от влажности. [5]
 |
Кривые зависимости удельной проводимости полупроводников от температуры при различных концентрациях примеси ( NR1 N № дз. д. [6] |
В области истощения ( концентрация постоянна) изменение удельной проводимости обусловлено температурной зависимостью подвижности. [7]
Кондуктометр КК-23 обладает достаточно большой чувствительностью, улавливая изменения удельной проводимости порядка ( 0 2 - - 0 3) 10 - 3 См / см. Стабильность его показаний вполне достаточна. Показания устанавливаются через 15 - 20 с с момента возмущения. [8]
Магниторезистивный эффект, ил-и эффект Гаусса, заключается в изменении удельной проводимости полупроводника при изменении воздействующего на него магнитного поля. [9]
 |
Мостовая схема преобразователя с фотопотенциометрами для слежения за световым пятном.| К определению нелинейности фотопотенциометров. [10] |
Наиболее сильно действующим фактором является рассеянный свет, так как кратность изменения удельной проводимости ст светочувствительного слоя под воздействием света может достигать десятков тысяч. Поэтому защите фотоэлектрических Пр от посторонних источников света даже при симметричных схемах необходимо уделять должное внимание. [11]
 |
Зависимость от температуры удельной проводимости германия, легированного донорной примесью. [12] |
При относительно низких температурах, когда можно пренебречь тепловой генерацией носителей, изменение удельной проводимости примесного полупроводника в зависимости от температуры определяется изменением подвижности основных носителей заряда. С увеличением температуры в интервале температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, подвижность носителей уменьшается. Это объясняется уменьшением средней длины свободного пробега носителей заряда между соударениями. Проводимость примес ного полупроводника также уменьшается. Однако при относительно высоких температурах, когда начинает играть роль термогенерация электронов и дырок, несмотря на уменьшение подвижности носителей, увеличение температуры приводит к увеличению проводимости по экспоненциальному закону. При очень низкой температуре ее дальнейшее понижение вызывает не увеличение, а уменьшение подвижности основных носителей, что зависит от некоторых особенностей их взаимодействия с ионизированными атомами примеси. Поэтому в области низких температур удельная проводимость примесного полупроводника при понижении температуры уменьшается. На рис. 1.9 это уменьшение показано штриховой линией. [13]
В сильных электрических полях в полупроводнике могут происходить физические процессы, приводящие к изменению удельной проводимости полупроводника; вольт-амперная характеристика полупроводника перестает подчиняться закону Ома; может изменяться как концентрация носителей заряда, так и их подвижность. [14]
Пространство между двумя коаксиальными цилиндрами заполнено диэлектриком, обладающим некоторой проводимостью. Найти закон изменения удельной проводимости К ( г), если при наличии некоторой разности потенциалов поле между цилиндрами было везде одинаково. [15]
Страницы: 1 2