Изменение - удельная проводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Когда мало времени, тут уже не до дружбы, - только любовь. Законы Мерфи (еще...)

Изменение - удельная проводимость

Cтраница 2


Пространство между двумя концентрическими сферами заполнено диэлектриком, проводимость которого зависит только от расстояния до сфер. Найти закон изменения удельной проводимости X ( г), если объемная плотность джоулевых потерь при прохождении тока была одинакова во всех точках.  [16]

17 Зависимость предела прочности при растяжении ( / и удлинения при разрыве ( 2 от дозы облучения для полиме-тилметакрилата ( масштаб внизу - средняя молекулярная масса.| Зависимость удельной проводимости политетрафторэтилена от температуры до облучения ( график /, во время облучения ( 2 при мощности дозы 15 Р / с. [17]

Стойкость к радиации в воздухе уменьшается с уменьшением толщины образцов. На рис. 24 - 12 показано изменение удельной проводимости политетрафторэтилена при облучении.  [18]

Они используют только один тип носителей заряда: или электроны, или дырки. Управление током в них осуществляется за счет изменения удельной проводимости и площади полупроводникового слоя с помощью электрического поля. Отсюда понятно, почему эти транзисторы часто называют полевыми.  [19]

20 Изменение сопротивления отрезка асбестовой ленты. [20]

Если в материале происходят глубокие изменения его физико-химической природы, эти изменения существенно сказываются на проводимости. Так, на рис. 1 - 34 даны изменения удельной проводимости у в функции времени полимеризации термореактивного олигоэфиракри-латного компаунда при различных содержаниях инициатора полимеризации; наблюдение за изменением электрических свойств материала, в данном случае у, может быть использовано для контроля степени полимеризации.  [21]

Если растяжение кристалла про - т изводится вдоль направления [111], то деформация вдоль осей [100] оди - JS3 какова и минимумы смещаются в одном и том же направлении на одну и ту же величину. При этом нет перехода электронов из долины в долину и нет изменения удельной проводимости.  [22]

23 Температурные зависи. [23]

В рядах соединений-аналогов с катионным замещением на более тяжелый элемент ( AlSb - GaSb - InSb) уменьшается разница в степени металлизации твердой и жидкой фаз, что приводит к снижению скачка удельной проводимости. При анионном замещении на более тяжелый элемент картина обратная, причем скачок возрастает из-за изменения удельной проводимости жидкой фазы. В этом случае существенное влияние оказывает ионная составляющая химической связи, которая для антимонидов меньше по сравнению с арсенидами. Соответственно для арсе-нидов характерна большая степень диссоциации расплава.  [24]

За счет энергии света может происходить изменение потенциальной и кинетической энергии любых входящих в состав данного тела частиц. Естественно, что по закону сохранения энергии при этом происходит поглощение квантов падающего на данное тело света. Если таким телом является полупроводник, то поглощение света может быть связано с изменением концентрации носителей заряда, а следовательно, с изменением удельной проводимости освещаемого тела. При этом различают несколько видов поглощения. Рассмотрим наиболее важные из них.  [25]

26 Датчик кондуктометра КК-2. [26]

Большинство из указанных выше приборов рассчитано на работу в чистых растворах, поэтому особое внимание уделяется возможности их работы в загрязненных средах. Он предназначен для измерения и регистрации удельной проводимости водных растворов электролитов, приведенной к 20 С в пределах 1 - Ю-4-ЫО - См / см в интервале температур 1 - 100 С при наличии температурной компенсации в пределах 15 С от средней рабочей температуры. Диапазон изменения удельной проводимости, например травильных железосодержащих сточных вод, составляет 1 10 3 - Ы0 - 2 См / см. Таким образом, концентрация этих загрязнений находится в диапазоне работы прибора. Основная погрешность прибора 2 5 % максимального значения шкалы, что общепринято для промышленных кондуктометров.  [27]

При данной ситуации следует внимательно изучать факторы, от которых в основном зависят потери в данной пленке. Во-первых, часто допускалось, что модели Геверса - Гартона применяются к пленкам по той причине, что последние обычно бывают аморфными. Однако ни один из авторов не отметил этого, так как им было хорошо известно, что потери в кристаллах также не зависят от частоты. Геверс и Гартон рассматривают неоднородность пленок как главную причину эффекта. Во-вторых, для объяснения потерь, не зависимых от частоты, была широко использована модель Юнга [3], согласно которой потери обусловлены экспоненциальным изменением удельной проводимости по толщине пленки. Имеющееся незначительное отклонение от экспоненциальной зависимости заставило Юнга отказаться от своего предположения [3] и допустить, что имеет место релаксационный процесс. Несмотря на это, хотя модель н была широко использована, однако она не годится для дальнейшего применения, так как не предсказывает эффектов в массивном образце н требует необычно большого градиента удельной проводимости по всей пленке.  [28]



Страницы:      1    2