Электронное строение - комплекс
Cтраница 1
Электронное строение комплекса железо - пентадиенил, образованного ионом железа ( II) и двумя группами С5Н5, характеризуется перекрыванием молекулярных орбиталей колец с пустыми атомными орбиталями железа. [1]
Электронное строение изолированного октаэдри-ческого комплекса СгО69 -, моделирующего элементарную ячейку кристалла Сг2Оз, исследовано в работе Клэка [ 109J в том же полуэмпирическом варианте валентного приближения ППДП метода ССП, что и обсуждавшиеся выше тетра-оксианионы МпО4 - и СгО42 -, по методике [52], описанной в гл. В валентном приближении комплекс СгОе9 рассматривается как система с 51 электроном, обладающая открытой оболочкой, в связи с чем расчет проводили в ограниченном варианте метода ССП для открытых оболочек. [2]
При описании электронного строения комплекса с такой мостиковой группой необходим учет многоцентровой связи в рамках метода молекулярных орбиталей. [3]
Вопрос о валентном состоянии металла и электронном строении комплексов этого типа до сих пор ( сентябрь 1965 г.) остается нерешенным. Сложность этой проблемы можно проиллюстрировать на примере трех комплексов: NiL2, Nil /, и NiL22 -, где LCF3C ( S) - С ( S) CF3, способ получения которых был только что указан. Аналогичные ряды комплексов, связанных между собой электронными переходами, известны и для других металлов с лигандами типа RC ( S) C ( S) R, однако все три члена такого ряда не всегда удается синтезировать. [4]
Для более глубокого исследования задачи представляется актуальным полный расчет электронного строения комплекса с различными лигандами и с варьированием расстояния М - А, а также некоторых переходных состояний реакции замещения с целью определения зависимости барьера реакции от трансактивного ли-ганда. [5]
Далеко не всегда задается сейчас с полной определенностью представить себе электронное строение комплексов и даже высказать однозначное суждение о силах, вызвавших их образование. [6]
 |
Влияние спирта на полосы поглощения комплексов Zn и Cd. [7] |
Характер спектров поглощения комплексов в различных буферных растворах объясняется, помимо электронного строения комплекса, сольватационным взаимодействием его со средой. [8]
Выбирая, далее, масштаб в единицах В, можно строить диаграммы уровней энергии как функции одного параметра А, наглядно характеризующие электронное строение комплекса и его зависимость от силы поля лигандов. [9]
 |
Схематическое изображение орбиталей a lg - и е2г - симметрии. [10] |
Наблюдаемая величина магнитной восприимчивости показывает число неспаренных спинов в комплексе; кроме того, различие между измеренным магнитным моментом и рассчитанным чисто спиновым значением содержит более подробную информацию об электронном строении комплекса. T орбитальная составляющая магнитного момента равна нулю. Однако если неспаренный электрон находится на орбитали dx - y или dxy ( m 2), то он имеет орбитальную со. [11]
Знания численного значения Д не достаточно, потому что, как станет ясным из сказанного ниже, помимо электростатического расщепления в кристаллическом поле, другие эффекты также имеют значение для электронного строения комплексов. [12]
Комплексы обладают многими характерными свойствами, например сверхпроводимостью и каталитической активностью, и поэтому привлекают внимание исследователей, но в данном разделе мы рассмотрим только магнитные свойства и спектры поглощения в видимой и УФ-областях, которые необходимы для понимания электронного строения комплексов на молекулярном уровне. [13]
 |
Зависимость сдвигов частот Я КР 35С1 в комплексах пикрилхлорида от потенциала ионизации при произвольной геометрии молекул-доноров. [14] |
Таким образом, проведенные исследования показывают, что: 1) в спектральных проявлениях комплексооэразования с я-акцепто-рами определяющая роль принадлежит пространственным взаимодействиям, 2) при соблюдении правил подбзра компонент комплексов в отношении их симметрии можно получит информацию об электронном строении комплексов, 3) корреляция между сдвигом и потенциалом ионизации донора указывает на линейность соотношения между сдвигом и величиной переноса заряда. [15]
Страницы: 1 2