Влияние - дисперсия
Cтраница 3
В этом состоянии чем дальше цена базового актива удаляется от цены исполнения опциона, том опционы становятся все более похожими на базовый актив. Данное обстоятельство ведет к ослаблению влияния дисперсии базового актива на стоимость опциона. [31]
Как отмечалось ранее, из-за дисперсии намагниченности, обычные измерения Нк с помощью гистерезисографа не лишены ошибок. В настоящее время имеется несколько методов, в которых влияние дисперсии на измерения Нк исключено. В этих методах используется аппаратура, аналогичная гистерезисографу; модификация в основном заключается в добавлении вспомогательного постоянного поля или в использовании нескольких съемных катушек. [32]
Пусть также в начальный момент х 1, что соответствует плавному длинному возмущению. R, которое вызывает уменьшение х, что соответствует увеличению влияния дисперсии. [33]
Если это условие выполняется, то такой источник неотличим от источника неограниченной протяженности и, значит, система, формирующая изображение, является некогерентной. Можно принять, что спектр источника достаточно узкий и, следовательно, влияние частотной дисперсии незначительно. [34]
Например, Р2 может быть порядка - 1 пс2 / км при Т0 0 1 пс, пока вклад Р3 еще существен. Так как L D - 10 м для таких величин Г0, то влияние дисперсии высшего порядка можно экспериментально увидеть при распространении 100-фемтосекундных импульсов на несколько метров в световоде вблизи XD, так чтобы 0 - KD 10 нм. [36]
Например, Р2 может быть порядка - 1 пс2 / км при Т0 0 1 пс, пока вклад Р3 еще существен. Так как L D - 10 м для таких величин Тп, то влияние дисперсии высшего порядка можно экспериментально увидеть при распространении 100-фемтосекундных импульсов на несколько метров в световоде вблизи XD, так чтобы Х0 - XD 10 нм. [38]
Дисперсия представляет собой еще один эффект, проявляющийся при распространении ПАВ, который может значительно влиять на рабочие характеристики конвольвера. Как было показано в § 6.5, дисперсия возникает вследствие массовой нагрузки, вызванной наличием параметрического электрода, и зависит от его толщины. Влияние дисперсии удобно оценивать, анализируя спектр выходного сигнала. [39]
В диэлектрике скорость электромагнитных волн зависит от частоты. Это явление называется дисперсией. Влияние дисперсии проявляется лишь в распространении немонохроматических волн, поскольку различные частоты, составляющие волну, распространяются с различной скоростью. [40]
Цель этой главы состоит в обсуждении известных данных по прочностным свойствам хрупких композитов с дисперсными частицами и в демонстрации возможных путей оптимизации их прочности. В следующих разделах сначала будет установлена зависимость действительной прочности материала от трех указанных факторов. Затем будет рассмотрено влияние дисперсии второй фазы на каждый из этих факторов. [41]
Результаты их расчетов достаточно хорошо согласуются с экспериментальными данными [424] в низкочастотном диапазоне, однако в высокочастотном диапазоне расчетные величины коэффициента затухания существенно меньше. В работе [722] учитываются влияние дисперсии и относительного движения частиц, однако для общности результатов поставлена и решена лишь одномерная задача. [42]
 |
Кривая, разграничивающая области синхронизации мод. в которых максимальный по амплитуде им-пульс на аксиальном периоде содержит не менее 90 % знер-гии с вероятностью больше ( / и меньше ( 2. [43] |
Таким образом, генерируемые при пассивной синхронизации мод импульсы имеют длительность, на один-два порядка превышающую предельную, определяемую шириной спектра усиления стекла. Такое расширение длительности начальных флуктуа-циоиных выбросов происходит на линейном этапе развития генерации до просветления затвора и обусловлено дисперсией показателя преломления активной среды и других внутрирезонаторных элементов, а также дисперсией коэффициента усиления. Поэтому существует некоторая оптимальная длительность УКИ, для которой влияние дисперсии минимально. [44]
Процессы накопления и рассасывания характеризуются соответствующими постоянными времени. Первая из них - постоянная времени накопления т - характеризует рекомбинацию носителей, которые находятся в состоянии динамического равновесия. Вторая величина - - постоянная времени отсечки тока диода - характеризует влияние дисперсии времени пролета неосновных носителей через область базы на продолжительность переходных процессов. При помощи постоянной тн рассчитывают длительность времени рассасывания неосновных носителей, в течение которого обратный ток практически остается постоянным после выключения диода. Длительность среза обратного тока при запирании диода определяется постоянной времени отсечки тот. В справочниках вместо постоянных времени т итот указывается время восстановления обратного тока / восст, т - е - время, прошедшее от момента подачи запирающего импульса до момента, когда обратный ток уменьшается до заданного уровня. Время восстановления / восст складывается из времени рассасывания неосновных носителей и длительности среза обратного тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4