Влияние - дифракция
Cтраница 2
 |
Схема установки для исследования разрешающей силы оптического. [16] |
Установка, представленная на рис. 4, позволяет исследовать влияние дифракции на разрешающую способность оптических инструментов. [17]
 |
Распределение интенсивности света при дифракции Фраунгофера на щели. [18] |
Установка, представленная на рис. 189, позволяет исследовать влияние дифракции на разрешающую способность оптических инструментов. [19]
Уменьшение радиуса когерентности на рис. 2.76 для кривой 1 объясняется влиянием дифракции. [20]
Поскольку амплитуда ПАВ нелинейно зависит от перекрытия электродов и пройденного расстояния, то влияние дифракции эквивалентна изменению заложенного при проектировании закона аподизации и приводит к росту боковых лепестков передаточной функции. [21]
Из фотографии видно, что ближайшая к стенке очень узкая интерференционная полоса подвержена влиянию дифракции поэтому при расшифровке эта полоса не учитывается. [22]
Если мы утверждаем, что голограмма-оригинал является тонкой, то это означает, что влиянием дифракции Брэгга можно пренебречь; при этом недифрагированная волна сопровождается двумя дифрагированными волнами, одна из которых соответствует восстановленному действительному изображению, а другая - мнимому. Эти три волны интерферируют попарно, образуя общую интерференционную картину, которая засвечивает эмульсию копии. По сравнению с другими вкладами система интерференционных полос, образуемая при взаимодействии двух волн восстановленных изображений, оказывается, как правило, слабой ( из-за низкой дифракционной эффективности голограммы-оригинала), и ею можно пренебречь. Две остальные системы интерференционных полос, обусловленные взаимодействием продолженной опорной волны с каждой из двух волн восстановленного изображения, имеют одинаковые амплитуды и контраст. [23]
Совершенно аналогично тому, как мы учитывали влияние дефокусировки на форму аппаратной функции, можно учесть и влияние дифракции. [24]
В рентгенолитографии в качестве экспонирующего излучения используются рентгеновские лучи с длиной волны до 8 А, что обеспечивает существенное уменьшение влияния дифракции и получение изображения с очень высоким разрешением. Шаблон для рентгенолитографии представляет собой полупрозрачную для рентгеновских лучей подложку из кремния, на которую нанесен топологический рисунок в виде тонкой пленки ( например, золота), сильно поглощающей рентгеновские лучи. [25]
Как правило, из эффектов второго порядка существенными остаются лишь дифракция, влияние внешних цепей и поперечный краевой эффект, хотя влияние дифракции может быть значительно ослаблено на подложках с ориентацией минимальной дифракции. Эти эффекты при необходимости компенсируют, изменяя конструкцию преобразователя. Наиболее простым методом проектирования устройства с учетом всех этих факторов является итерационный процесс. Вначале устройство синтезируют без учета эффектов второго порядка. Затем рассчитывают частотную характеристику спроектированного устройства с учетом эффектов второго порядка и выявляют искажения, обусловленные этими эффектами. После этого проводят коррекцию с целью компенсации искажений и процесс синтеза повторяют. Такая процедура может быть повторена несколько раз и обычно оказывается достаточно действенной, если искажения из-за эффектов второго порядка невелики. Принято на этапе хотя бы одной из итераций изготавливать макет устройства для экспериментальной проверки степени компенсации искажений. [26]
При этом первый ( гиперболический) множитель в уравнении (4.26) характеризует геометрическое влияние кривизны излучателя, а второй ( синусный) - влияние дифракции в зависимости от значений D и К. [27]
D h / 100 - изображение отверстия, D С / г / 100 - изобра-жешге источника; при очень малых отверстиях необходимо учесть влияние дифракции. [28]
Ответ: D h / 100 - изображение отверстия, D; h / 100 - изображение источника; при очень малых отверстиях необходимо учесть влияние дифракции. [29]
Среди конструктивных методом уменьшения дифракционных искажений выделяются два напрпмлепня; поиск материалов и срезов монокристаллов для звукопроиодов с минимальными дифракционными искажениями распространяющихся ПАВ и создание структур отдельных преобразователей и фильтров в целом, слабо подверженных влиянию дифракции при излучении и приеме ПАВ. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5