Влияние - дифракция
Cтраница 3
 |
Стягивание электронов в узкий пучок и образование изображения в иммерсионном объективе ( катодной линзе. [31] |
Увеличение разрешающей способности ионного проектора по сравнению с электронным объясняется, кроме уже упомянутого уменьшения скоростей, также и тем, что в ионном проекторе можно увеличить ускоряющее напряжение, не боясь очень большого роста плотности тока на острие, кроме того, уменьшается влияние дифракции дебройлевскпх волн на острие, так как ионные но. [32]
В действительности получить копию голограммы методом плотного контакта исключительно трудно, поскольку эмульсия исходной голограммы и эмульсия фотопленки должны быть прижаты друг к другу с микроскопическим зазором. Если пренебречь влиянием дифракции, то зазоры между оригиналом и копией не должны превышать величины порядка длины волны, а такого плотного контакта вообще невозможно достичь между неполированными поверхностями. Поэтому контактная копия голограммы почти всегда является приблизительно контактной, причем зазор между поверхностями также должен быть небольшим, возможно меньше миллиметра или около того, но уже не требуется, чтобы он был порядка длины волны. [33]
Для b 4b0 g ( 0) 0 95, и при равномерном некогерентном освещении щели получается почти равномерная освещенность в ее изображении. При более широких щелях влияние дифракции на освещенность изображения может не учитываться. [34]
Расчетно-аналитические методы компенсации дифракционных искажений выходных параметров фильтров ПАВ являются более универсальными по сравнению с конструктивными и могут быть применены в тех случаях, когда не удается выбрать специальный материал подложки или конструкцию устройства с минимальной чувствительностью к дифракции. Простейший расчетно-аналитиче-ский метод уменьшения влияния дифракции на АЧХ фильтра был предложен в [95] и состоит в предыскажении заданной АЧХ посредством введения параболических коэффициентов с целью улучшения прямоугольности АЧХ. [35]
При обычных спектроскопических исследованиях влиянием дифракции на 6Я Р можно пренебречь, так как зеркала имеют большие размеры ( диаметр зеркала приблизительно 50 мм) и отклонения лучей невелики. В случае применения ИФП в качестве открытого резонатора для лазера влияние дифракции следует учитывать. [36]
Зная угол ш, из формулы (1.15) можно легко определить угол а между стенкой угла и прямолинейной частью отраженной ударной волны. Определение потенциального течения за отраженной волной, в области влияния дифракции угла, сводится к следующей задаче. [37]
Главной проблемой технологии микроэлектронного производства является создание рисунка топологии. Уменьшение размеров рисунка, созданного оптическими методами, ограничено Змкм из-за влияния дифракции света. Поэтому в настоящее время применяется электронно-лучевая технология создания рисунка. Ускоряющее напряжение электронного луча обычно составляет 20 кВ и выше. Так как длина волны электрона менее 1 нм, то явление дифракции электронного луча не влияет на создание рисунка. Однако при непосредственном облучении пленки ре-зиста электронным лучом электроны, прошедшие через пленку резиста, попадают в подложку, рассеиваются в ней и возвращаются обратно в пленку. Этот эффект, называемый обратным рассеянием электронов, снижает точность размеров рисунка. Так, например, для двух близко расположенных элементов рисунка эффекты обратного рассеяния каждого из этих элементов складываются, что приводит к так называемому эффекту близости-соседние элементы рисунка смыкаются в результате размытия их кромок. В настоящее время с помощью электронного луча получают элементы с размерами до 0 25 мкм. [38]
Для устранения влияния излучения лазера, не претерпевшего дифракции, на работу прибора и обеспечения возможности привязки процесса измерения к одному и тому же дифракционному порядку в широком диапазоне измерений размера в приборе используется ограничивающий экран, установленный на сканирующем зеркале. Такое конструктивное расположение экрана позволяет также максимально приблизить его к входной щели ФЭУ, устранить влияние паразитной дифракции на его краях и уменьшить влияние фоновых засветок на работу ФЭУ. Уменьшению фоновой засветки способствует и светофильтр 9, расположенный перед щелью ФЭУ. Телескопическая система служит для увеличения поперечного сечения пучка лазера и этим способствует увеличению допустимого поперечного смещения изделия. [39]
Чтобы определить координаты частицы, приходится уменьшать размеры отверстия, ио чем меньше размеры отверстия, тем больше влияние дифракции, неизбежной при прохождении частицы через отверстие, согласно представлениям волновой механики. [40]
Выше мы показали ( см. § 1.3), что в случае безаберрационной фокусирующей оптики и при хорошем качестве других оптических деталей это есть дифракционное распределение (1.39) с полушириной ад. При наличии аберраций происходит совместное действие дифракции и аберраций, причем в силу волновой природы света нельзя рассматривать порознь влияние дифракции и аберраций на распределение энергии в изображении. Если ширина чисто аберрационного пятна рассеяния ха ( рассчитанного без учета действия дифракции) много меньше ад, то аберрациями можно пренебречь, а распределение энергии близко к диффракционному. Если же, наоборот, аа ад, то можно пренебречь дифракцией, а распределение энергии в изображении близко к аберрационному, отличающемуся от дифракционного. [41]
В телескопе роль круглого отверстия играет оправа объектива, и изображение звезды представляет собой создаваемую этой оправой дифракционную картину. Объективы большого диаметра могут давать изображение более высокого качества, так как ( см. формулу ( 2)) уменьшается влияние дифракции. [42]
В телескопе роль круглого отверстия играет оправа объектива, и изображение звезды представляет собой создаваемую этой оправой дифракционную картину. Объективы большого диаметра могут давать изображение более высокого качества, так как, как видно из формулы (4.2), уменьшается влияние дифракции. [43]
В телескопе роль круглого отверстия играет оправа объектива, и изображение звезды представляет собой создаваемую этой оправой дифракционную картину. Объективы большого диаметра дают изображение более высокого качества, так как, как видно из формулы ( 1), уменьшается влияние дифракции. [44]
В узкополосных фильтрах используются длинные преобразователи. В этом случае часто оказывается удобным метод взвешивания с помощью исключения элементов, так как согласно выводам § 8.3 это позволяет получить преобразователи, менее подверженные влиянию дифракции. Кроме того, поскольку такой преобразователь однороден, его можно размещать вместе с аподизоваиным преобразователем в одном и том же акустическом канале. В таком случае частотная характеристика фильтра определяется произведением частотных характеристик обоих взвешенных преобразователей, так что необходимость в многополосковом ответвителе отпадает. Преимущества использования двух взвешенных преобразователей реализуются при этом на подложках из слабых пьезоэлектриков, таких, как кварц, на которых нельзя создать многополосковый ответвитель. Поскольку методы проектирования преобразователей со взвешиванием с помощью исключения элементов в некоторой степени ограничены, то принято проектировать вначале именно такой преобразователь, а затем переходить к синтезу аподизо-ванного преобразователя. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5