Влияние - диэлектрик
Cтраница 2
Емкость конденсатора зависит от рода диэлектрика, геометрических размеров, формы и взаимного расположения обкладок. Влияние диэлектрика на емкость обусловлено различной интенсивностью известного из физики явления поляризации в разных диэлектриках. [16]
Все это приводит к тому, что на проводник, находящийся в поляризованном диэлектрике, действует не только электрическая сила, зависящая от зарядов на проводнике, но и дополнительная механическая сила со стороны диэлектрика. В общем случае влияние диэлектрика на результирующую силу, испытываемую проводником, не может быть учтено никакими простыми соотношениями, и задача вычисления сил с одновременным исследованием механизма их возникновения, как правило, оказывается весьма сложной. Однако во многих случаях эти силы можно вычислить достаточно просто без детального анализа их происхождения - с помощью закона сохранения энергии. [17]
Долгое время она служила естественным объяснением влияния диэлектрика на емкость конденсатора, и теории Фарадея пришлось выдержать сильную конкуренцию с традицией. Теория, развитая Фарадеем, привела к возможности измерения диэлектрических проницаемостей. [18]
На рис. VI.12 приведены дисперсионные характеристики двух-заходной спирали для первого ( vl) или синфазного вида колебаний и для второго ( v2) или противофазного вида колебаний. Некоторое расхождение опытных и расчетных данных обусловлено влиянием диэлектрика. [19]
 |
Импульсная электрическая прочность промежутка при твердом диэлектрическом покрытии одного электрода ( положительная полярность. [20] |
Кроме того, ДБ должен окружать высоковольтный электрод со всех сторон на всем его протяжении, не оставляя пути для развития разряда в чисто газовом промежутке. Конструктивно выполнить это проще всего, покрывая слоем твердого диэлектрика внутренний или наружный электрод коаксиальной системы. Требования доступности элементов высоковольтной конструкции для контроля, ревизии и технического обслуживания определяют предпочтительность размещения слоя диэлектрика на внутренней поверхности наружного электрода, являющегося, как правило, герметичной оболочкой. В подобной системе влияние диэлектрика можно грубо оценить, заменив электрическую прочность слоя газа соответствующей толщины на существенно большую электрическую прочность слоя твердого диэлектрика. [21]
Расположим вблизи коаксиального кабеля питания сше один отрезок коаксиального кабеля длиной Я / 4 и соединим экран дополнительного кабеля с тем из плеч диполя, к которому подсоединена средняя жила основного кабеля питания. Естественно, что основную роль в этой схеме играет внешний экран дополнительного кабеля, так как по его средней жиле ток не протекает. Важную роль также играют свойства диэлектрических защитных оболочек обоих кабелей. Отметим, что уменьшение расстояния е между кабелями снижает потери излучения по асимметричной отраженной ( волне и тем самым улучшает эффективность симметрирования. Эти потери особенно сильно возрастают, если поверхность кабеля покрыта влагой или сажей. Обратим внимание на то, что вблизи диполя между обоими кабелями существует напряжение, равное напряжению, подведенному к плечам диполя. Важно осуществить хороший электрический контакт на конце четвертьволнового дополнительного кабеля с экраном основного кабеля питания. Малому расстоянию е между кабелями соответствует малое значение волнового сопротивления Z0c симметрирующего устройства. Оптимальное значение / ос равно 75 Ом. Кроме того, малому расстоянию е между кабелями соответствует уменьшение коэффициента укорочения К, так как возрастает влияние диэлектриков защитных оболочек кабеля. [22]
Страницы: 1 2