Cтраница 3
Вольт-амперная характеристика для полупроводникового слоя носит более сложный характер из-за влияния пространственного заряда в полупроводнике In / - ( U Uo) Vt, где UD - диффузионный потенциал. [31]
Отметим еще раз, что развитая нелинейная теория не учитывает влияния пространственного заряда, потерь в линии передачи, двумер-ность, отражения в электронном потоке. Эта теория дает большие расхождения с экспериментом. Вместе с тем, полученные с помощью нее результаты оказываются мощным средством для анализа путей оптимизации имеющихся приборов. [32]
На рис. 1.15 показана пространственно-временная диаграмма пролетного клистрона с учетом влияния пространственного заряда. В сечении г, где скорости электронов становятся равными, отрезки линий параллельны. [33]
Существует, однако, немало практически важных случаев, когда влиянием пространственного заряда никоим образом пренебречь нельзя. Это бывает чаще всего тогда, когда одним из электродов является эмиттер с очень большой эмиссионной способностью и объем разрядного пространства относительно невелик, как это имеет место, например, в электронных лампах или в прикатодных областях электронных пушек. Эмиттером здесь служит термоэлектронный катод, с которого можно снимать токи высокой плотности. Вблизи термоэлектронного катода и образуется область, заполненная пространственным зарядом большой плотности, заметно изменяющим распределение потенциала между электродами и регулирующим число электронов, уходящих из катода. [34]
![]() |
Спектральные характеристики вакуумных фотоэлементов. [35] |
Крутой подъем вольтамперной характеристики при малых значениях анодного напряжения объясняется влиянием пространственного заряда, созданного эмиттированными электронами, около катода. Пространственный заряд препятствует движению электронов к аноду. Такое же явление наблюдается и в диоде. [36]
Соа - Итак, оптимально подобранное поле отражателя способно компенсировать нежелательное разгруппирующее влияние пространственного заряда и обеспечивать качественную группировку ( F % 1) слабопромодулированного по скоростям ( е 1) потока. [37]
Отклонение ог линейности ( рис. 13.8) при больших Ф обусловлено влиянием пространственного заряда и утомлением фотокатода. [38]
![]() |
Схема OK с бессеточным резонатором. [39] |
Ограничение токопрохождения первичного ( прямого) потока в связи с возрастающим дефокусирующим влиянием пространственного заряда устраняется увеличением скорости потока ( ускоряющего напряжения) и оптимальным подбором конфигурации конуса резонатора. Стремление уменьшить степень сходимости электронного потока обусловливает относительное увеличение удаленности катода от пространства взаимодействия. Повышенная плотность тока, большие скорости электронов ( V0 1 - 5 кВ), ухудшение токопрохождения через зазор приводят к усиленному образованию положительно заряженных ионов остаточного газа, а в результате - к необходимости использования трубчатых потоков. [40]
В то же время важно заметить, что в режиме циклотронного резонанса влияние пространственного заряда на взаимодействие незначительно ( рис. VI. [41]
![]() |
Вид зависимости / а и / с от U3 при постоянном и положительном напряжении и. [42] |
Теория первичного токораспределения в режиме прямого перехвата, не учитывающая, однако, влияния пространственного заряда, была разработана Шпангенбергом. [43]
Исследование распределения потенциалов в ионизационной камере было проведено Брубэкером [283, 284], который рассмотрел влияние пространственного заряда на это распределение. Был исследован эффект пространственного заряда ионизирующих электронов, а также заряда положительных ионов и показано, что для заданной геометрии ионного источника и энергии ионизирующих электронов возможно построить универсальные кривые, которые выразят потенциалы и потенциальные градиенты как функцию давления образца и отношения электронного тока к выталкивающему напряжению. Знание такой зависимости необходимо также для понимания оптических свойств данного ионного источника. [44]
Формулы (III.135) и (III.136) позволяют учесть влияние распределенных потерь в линии передачи и влияние пространственного заряда на пусковые условия генератора обратной волны. [45]