Влияние - пространственный заряд
Cтраница 4
Как уже указывалось, в [47] проведен анализ подобной схемы, но с учетом влияния пространственного заряда и влияния ветрела пучка в пространство взаимодействия. [46]
 |
Плоскостной транзистор ( схематическое изображение. [47] |
Частотные свойства точечных транзисторов определяются временем пробега неосновных носителей от эмитгера до коллектора и влиянием пространственного заряда внутри транзистора. На частотах порядка 1 Мгц параметры транзистора ( § 11 - 26) становятся комплексными, а на частотах свыше 15 - 20 Мгц усилительные свойства вообще теряются; последнее не относится к новейшим специальным конструкциям. [48]
И в заключение рассмотрения результатов натурного исследования сложных колебаний в ЛОВ кратко остановимся на влиянии пространственного заряда и отражений на характер автоколебаний в лампе обратной волны. [49]
Уравнения ( 4 - 15), ( 4 - 16) дают возможность оценить влияние пространственного заряда на группировку свободно движущегося цилиндрического электронного сгустка с заданными размерами, током и величиной группирующего напряжения. [50]
 |
Разрез диода, использованного Шелтоном, показывающий, как магнитное поле и щель, фокусирующие электроны, определяют величину активных участков поверхностей эмиттера и коллектора. [51] |
На экранирующую перегородку с центральным отверстием подавался положительный потенциал, достаточный для того, чтобы избежать влияния пространственного заряда и обеспечить на аноде ток насыщения нужной силы. Определив зависимость силы анодного тока от температуры катода и замедляющего потенциала анода, можно точно установить работу выхода для обоих электродов. [52]
В ( 28 ] на одном частном примере ( плоский магнетрон в статическом режиме) рассмотрено влияние пространственного заряда на применимость адиабатического приближения. [53]
Обогащение поверхности кремния фосфором при окислении вследствие сегрегации и повышение концентрации электронов в поверхностном слое под влиянием пространственного заряда повышают электронную электропроводность поверхности диффузионных областей. В транзисторе типа п-р - п эти явления опасны для коллекторной и базовой областей. [54]
Из рисунков видно, что как и в случае приборов типа О с закрытыми колебательными системами, влияние пространственного заряда уменьшает мощность взаимодействия пучка с полем и смещает оптимальные значения угла пролета, увеличивая расстройку скоростей между электронами и волной. [55]
Таким образом, влияние конечного фокусирующего магнитного поля на поперечное смещение электронов формально такое же, как влияние пространственного заряда на сгруппированный ток пучка в одномерной модели движения: увеличение магнитного поля ( увеличение рс) приводит к уменьшению у, что вполне очевидно. [56]
Сложность построения строгой теории триода, даже при рассмотрении его электростатики, а тем более при учете влияния пространственного заряда, привела к необходимости ввести понятие об эквивалентном диоде, заменяющем собой триод и обладающем той же, что и последний, вольт-амперной характеристикой. [57]
 |
Характеристики триода. [58] |
При малых анодных токах кривизна анодной характеристики fa ( ыа), соответствующей ыс1 0, вызвана влиянием пространственного заряда. При больших анодных токах характеристика может иметь загиб, обусловленный насыщением. [59]
Страницы: 1 2 3 4