Изменение - работа - выход
Cтраница 4
В тех случаях, когда дипольный момент адсорбированных молекул невелик, изменение работы выхода Дер может служить мерой А V 2 - Следовательно, должна существовать более простая связь между работой выхода электронов модифицированных полупроводников и их адсорбционной и каталитической активностью. [46]
Ценным дополнением к изотопным методам изучения неоднородности поверхности могут служить измерения изменений работы выхода ф, вызываемых адсорбцией. Они позволяют оценить величину A / f, вызванную заряжением. В этих измерениях серьезной трудностью является приведение поверхности твердого тела к воспроизводимому начальному состоянию. В частности, не существует безупречных методов освобождения поверхности полупроводников от адсорбированных веществ и веществ, растворенных в приповерхностном слое. В бинарных соединениях при попытках достижения этого нагреванием в высоком вакууме происходят общие или локальные изменения химического состава. Например, частичное разложение ZnO на Zn, остающийся в решетке, и на О а, удаляемый откачкой. В тех случаях, когда у элементарных полупроводников или химически очень стойких соединений удаление адсорбированных веществ с поверхности нагреванием в ультравакууме достижимо, оно неизбежно приводит к увеличению числа структурных дефектов, а бомбардировка ионами благородных газов - дополнительно к образованию нестойких твердых растворов. Поэтому за редкими исключениями все получаемые на опыте 0 имеют относительный, а не абсолютный характер. В большинстве методов определения к этому добавляются типичные для изучения обратимой адсорбции и никем не преодо ленные до конца осложнения, вызванные изменениями потенциала второго электрода. При нахождении полупроводника в газовой атмосфере все методы определения абсолютной величины ср ненадежны. Надежно определяются только Аф и притом для необратимой части адсорбции. [47]
Сделано несколько попыток связать падение теплоты адсорбции по мере заполнения поверхности и изменение работы выхода. Так, Будар [12] и позднее Миньоле [71] предположили, что уменьшение теплоты адсорбции может равняться еАср / 2 и еДср соответственно, поскольку при возрастании работы выхода становится все труднее и труднее переносить электрон из металла для образования ковалентной связи. Однако эти аргументы не являются убедительными: дипольный слой в них рассматривается как однородное распределение заряда. Гомер [38] оценил эти взаимодействия, используя дискретное распределение заряда, и нашел, что в широком интервале заполнений предсказываемое падение теплоты адсорбции оказывается незначительным. Действительно, даже не принимая эту точку зрения, можно видеть, что предсказанное уменьшение, как правило, слишком мало, чтобы объяснить экспериментально наблюдаемое снижение теплоты адсорбции. Лучшее совпадение наблюдается для предложенной Хигучи и др. [53] величины 2еДф, но и для этого предположения имеется мало подтверждений. Приходится сделать вывод, что между значениями поверхностного потенциала и снижением теплоты адсорбции с изменением степени заполнения поверхности металлов прямой связи не установлено. [48]
Это объяснение, однако, не однозначно, так как одновременно с изменением работы выхода изменяется и концентрация ионов V4 в катализаторе ( рис. 68): чем выше концентрация ионов V, тем больше заряжение поверхности. [50]
Изменение поверхностного заряда под воздействием хемосорб-ции вызывает два эффекта, наблюдаемых экспериментально: изменение работы выхода и изменение электропроводности. [51]
Изменение поверхностного заряда под воздействием хемосорбции вызывает два эффекта, наблюдаемых экспериментально: изменение работы выхода и изменение электропроводности. [52]
Как видно на рис. 2 ( кривые 2, 3), между изменениями работы выхода и временами релаксации фотопроводимости имеется антибатная зависимость. [53]
Если поле сохраняется постоянным, то изменение тока эмиссии в ходе адсорбции можно связать с изменениями работы выхода. [54]
Уменьшение Qg, наблюдаемое на металлических поверхностях с увеличением значений 6, обусловлено главным образом изменением работы выхода металла под влиянием дискретных дипольных слоев, образованных хемосорбированными атомами. [55]
Страницы: 1 2 3 4